クロロシラン（主に：トリクロロシラン）の製造のためおよびこれらクロロシランからの高純度ポリシリコンの堆積のための方法および関係する材料。クロロシラン製造のためのソースは、共晶または亜共晶の銅−シリコンであり、前記銅−シリコンの濃度範囲は１０ないし１６ｗｔ％シリコンである。共晶または亜共晶の銅−シリコンは、塩素処理反応器に好適な形状に鋳造され、そこで、少なくとも部分的にＨＣｌからなるプロセスガスに曝される。このガスは共晶または亜共晶の銅−シリコンの表面で反応してシリコンを揮発性クロロシランの形態で抽出する。貧化した共晶または亜共晶の材料はその後リサイクルすることができ、抽出された量のシリコンが補充され、この材料は所望の形状へ再鋳造される。 （もっと読む）

クロロシラン（主に：トリクロロシラン）の製造のためおよびこれらのクロロシランからの高純度ポリシリコンの堆積のための方法および関係する材料。クロロシラン製造のためのソースは共晶または亜共晶の銅−シリコンであり、前記銅−シリコンの濃度範囲は１０ないし１６ｗｔ％シリコンである。共晶または亜共晶の銅−シリコンは、塩素処理反応器に好適な形状に鋳造され、そこで、少なくとも部分的にＨＣｌからなるプロセスガスに曝される。このガスは共晶または亜共晶の銅−シリコンの表面で反応してシリコンを揮発性クロロシランの形態で抽出する。貧化した共晶または亜共晶の材料はその後リサイクルすることができ、抽出された量のシリコンが補充され、この材料は所望の形状へ再鋳造される。 （もっと読む）

本発明は、ヘテロ接合太陽電池のための薄膜アモルファスシリコン／結晶シリコン裏面ヘテロ接合及び裏面電界デバイス構成を提供する。この構成は、結晶シリコンの裏面に低温でヘテロ接合を形成することによって実現される。低温による製造によって、低解像度リソグラフィ及び／又はシャドウマスキングプロセスを用いて、構造を実現することができる。電気コンタクトを裏面に配設し、入射光の経路から取り除くことによって、シャドウロスをなくすことができる。裏面コンタクトは、シャドウロスを考慮することなく、電荷キャリアの収集効率を最大化するように最適化することができる。裏面ヘテロ接合デバイスの開路電圧は、結晶シリコンのみから構成されるデバイスに比べて高い。この太陽電池構成は、結晶シリコンウエハ光吸収体及び様々な製造プロセスを用いて形成される薄膜シリコン層にも同様に適用することができる。 （もっと読む）