基板上の相互接続構造が提供される。この相互接続構造は、基板レベルの上又は上方の少なくとも２つの相互接続レベルに導電性の相互接続素子を具える。本発明の相互接続構造では、少なくとも１つの導電性のビアが一つの相互接続レベルにおける第１の相互接続素子を異なる相互接続レベルにおける第２の相互接続素子に接続する。このビアは、第１の誘電体層のビア開口内を延びる導電性の円筒状カーボンナノ構造を含む導電性ビア材料を具える。少なくとも１つのカバー層部分がビア開口の横方向広がり内まで延在してビアアパーチャを規定し、このアパーチャはカーボンナノ構造がこのビアアパーチャを貫通するのを阻止するに十分なほど小さい。この構造によれば相互接続構造の製造中における高さ方向のカーボンナノ構造成長の制御が向上する。
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