微傾斜ＩＶ族基板上にエピタキシャル蒸着させたＩＩＩ／Ｖ化合物を有する電子及び光電子デバイス並びにその製造方法。このデバイスは、Ｇｅ基板上にＡｌＡｓ核形成層を含む。ＩＶ族基板は、Ａｓ含有層のエピタキシャル成長時にＡｌＡｓ核形成層によって特性の変化が最小限に抑えられるｐ−ｎ接合を含む。ＡｌＡｓ核形成層は、デバイスの改善された形態を提供するとともに、Ａｓ及び／又はＰの拡散によりＩＶ族基板の表面近く、並びにＩＶ族元素の拡散を最小限に抑えることによりＩＩＩ／Ｖ構造の底部近くのｐ−ｎ接合の位置を制御する手段を提供する。 （もっと読む）