【課題】高い加工精度が要求される大きさまで小型化することなく、ＧＨｚ帯の高周波信号に応答可能な超高速薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。キャリアが走行する薄膜導電層は、素子の表面に沿う金属層であるので、キャリアは薄膜金属層内を高速移動する。 （もっと読む）

【課題】数１０ｎｍ以下の厚さに薄型化が可能な薄膜光電変換素子と薄膜光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の表面に第１金属とシリコンが拡散して形成される金属シリサイド層と、シリコン基板の表面の第２金属薄膜層の積層部位に形成される導電薄膜層と、前記金属シリサイド層と前記導電薄膜層との間のシリコン基板の表面付近にシリコンのナノ粒子が拡散して形成されるシリコン拡散部とを備え、シリコン基板との積層方向にショットキー界面が形成される金属シリサイド層若しくは導電薄膜層へ光を照射し、シリコン基板の表面の金属シリサイド層と導電薄膜層間に光誘起電流を発生させる。 （もっと読む）