本発明は、コンパクト性が高く且つ光波及び電波の適合性に利するように改良された電気光学変調の素子、デバイス及びシステム、並びに製造方法に関する。本発明によれば、前記素子は、導波路（６９０）のアーキテクチャを備えており、そして、制御電気信号の進む経路の長さ（Ｌ６０９）に対して、光束の進む経路の長さ（Ｌ６１１）が、光束と電気信号との伝播速度（Ｖ６０９，Ｖ６１１）の差を低減又は補正するように決定された差を有するように、前記導波路を配置する。特に、変調領域は光束の経路を含み、前記光束は、これらの制御要素の少なくとも２つから出ている少なくとも２つの欠刻を連続的に通過し、そして、それ自体巻かれている。このようにして、前記光束経路は、例えば、この制御信号とこの光束との間の相互作用の第一領域（Ｒ１ａ）と第二領域（Ｒ２ａ）との間で、電気信号が進む長さより大きい長さを備えている。
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本発明は、２種類のＩＩＩ族元素の窒化物材料間の量子閉じ込めによる、典型的には、ＧａＮ／ＡｌＮによる、サブバンド間遷移を備えた電気光学素子に関する。本発明は、前記素子を包含するデバイス又はシステム、並びに前記素子の製造方法にも関する。本発明によれば、前記素子（２）は１つ以上のＮドープされた量子井戸構造（ＱＷ１，ＱＷ２，ＱＷ３）を囲む少なくとも２つのいわゆる外側障壁層（ＢＬ０，ＢＬ３）を包含する少なくとも１つの活性領域（２３）を含み、前記量子井戸（１つ以上）は、各々が、少なくとも５単原子層の厚さの非意図的にドープされた２つの障壁領域（ＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３）によって囲まれていることを特徴とする。
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本発明は、インフラストラクチャネットワーク（２００）を形成する物理ノードのセットの中から選択される物理ノード（２０２，２０４，２０６，２０８）にインストールされた複数の仮想ノードからなる少なくとも１つの仮想ネットワーク（２１４，２１６，２１８）の性能の自動化された管理方法に関する。
前記方法は、各仮想ネットワーク（２１４）に対して以下の各段階：
前記仮想ネットワーク（２１４）の少なくとも１つの仮想ノード（２０２２，２０４４，２０６２，２０８６）のロード状態に関するいわゆるロードデータを決定する段階；
前記データ及び少なくとも１つの所定の規準に基づいて前記仮想ネットワーク（２１４）の少なくとも１つのオーバーロードされた仮想ノード（２０８６）を決定する段階；及び、
前記オーバーロードされた仮想ノード（２１４）を再定義する段階であって、前記オーバーロードされたノードが前記再定義の後に追加のリソースから利益を得る前記段階；
を含む。
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本発明は、物理ノード（２０４，２０６，２０８，２１０）を含み、そして、インフラストラクチャネットワークと呼ばれる物理ネットワーク（２００）上で、特定の用途に適合した少なくとも１つの仮想ネットワーク（４０２，４０４，４０６）を、オンザフライかつオンデマンドで生成する方法であって、
ここで、前記物理ノード（２０４，２０６，２０８，２１０）の各々は少なくとも１つのネットワークオペレーティングシステムを実行するものとする、前記方法であり、
以下の各段階：
−仮想ネットワークサーバと呼ばれる少なくとも１つのコンピュータデバイス（２０２）上で、前記特定の用途に従って生成されるべき前記仮想ネットワーク（４０２）に関するデータを決定する段階（３０４，３０６）；
−前記データに従って、前記インフラストラクチャネットワーク（２００）の、アクティブノードと呼ばれる前記物理ノード（２０４，２０６，２０８，２１０）の少なくとも一部に仮想ノードを作成するための要求を送信する段階（３０８）；及び
−前記アクティブノードの各々において仮想デバイス（１０４，１０６，１０８）をインストールすることによって、前記アクティブノードの各々に仮想ノードを作成する段階（３１０）であって、このようにして作成された前記仮想ノードのセットから前記仮想ネットワークが構成される前記段階（３１０）；
を含む前記方法に関する。本発明は、前記方法を実行するシステムにも関する。
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本発明は、１０Ｇｂ／ｓより速いデータレートの優れた性能を有するように改良された電気光学変調素子、とりわけ、ＳＯＩ型の基板（５０，５１）上の電気光学変調素子に関する。この改良は、構造及びその環境の容量性効果の影響を低減することにより得られ、
そしてより詳細には：
ドープ領域内のアクセス抵抗の低減によって構造それ自体の容量の影響が抑制されること；又は、
活性領域（５２０）に垂直に位置する基板（５０，５１）の構造の改変によって、例えば、シリコン基板（５０）又は絶縁体（５１）の薄化によって環境の容量性効果の影響が低減されること；又は、
これらの特徴の組み合わせ；
により得られる。本発明は、更に、前記素子の製造方法に、及び前記素子を含む装置又はシステムに関する。この改良は、３Ｄ集積化によるアセンブリ方法に、並びに、オプティクス及びエレクトロニクスのハイブリッド回路に適用することができる。
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本発明は、例えば、ディジタルデータ送信に使用される、光信号の全光再生を可能にする可飽和吸収体受動部品、並びに再生方法及び再生を実施するデバイスに関する。本発明は、前記部品を製造するための方法及びシステムにも関する。本発明は、前記部品を製造する方法及びシステムにも関する。本発明は、リアミラーを称される第１のミラー（Ｍ１）と、入射信号側に位置する第２のミラー（Ｍ２）との間に形成される可飽和吸収共振キャビティ（Ｃ１）における反射によって動作する光信号を処理するための光学部品であって、前記第２のミラーの反射率が前記リアミラーの反射率以上である前記光学部品を提案する。第２の実施態様では、前記部品は第３のミラー（Ｍ３）を含み、そして、第３のミラー（Ｍ３）は、第２のキャビティ中に設定され、そして、高レベル及び低レベルの再生をモノリシックに実施する。
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