【課題】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイの逆バイアス状態のモレ電流を低減する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】成形プロセスを使用して製造されたドームを有する発光ダイオードパッケージ及び当該発光ダイオードパッケージを製造する方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードパッケージ１０は、基板１２と、基板に搭載された発光ダイオードダイ１４と、発光ダイオードダイを包囲するように構成された、基板上のフレーム１６と、発光ダイオードダイ及び基板に結合されたワイヤ１８と、発光ダイオードダイを封入するレンズとして構成された透明ドーム２０と、を備える。当該発光ダイオードパッケージの製造方法は、基板を提供するステップと、基板に周囲形状を有するフレームを形成するステップと、周囲形状によって包囲された、基板に少なくとも１つの発光ダイオードダイを取り付けるステップと、発光ダイオードダイを封入するための透明ドーム及びレンズを形成するように構成されたフレームに透明封入物質をディスペンシングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】改善した熱特性及び電気特性を有する垂直型発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、金属ベース（基部）１２と、金属ベース上のミラー１４と、ミラー上のｐ型半導体層１６と、光を放出するように構成された、ｐ型半導体層上の多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８と、多重量子井戸（ＭＱＷ）層上のｎ型半導体層２０と、を含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、ｎ型半導体層上の電極２２と、電極と電気的接触状態にある、ｎ型半導体層上の電極フレーム２４と、電極フレーム内に含有された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質とをさらに含む。電極フレームは、ｎ型半導体層の外周部内に包含された４面額縁外周部を有し、高電流容量を提供するとともにｎ型半導体層の外周から中心へと電流を伝播させるように構成されている。 （もっと読む）

半導体基板のスルーインターコネクトを製造する方法は、基板の第１側部上に基板を部分的に通るビアを形成するステップと、第１側部上及びビア内に電気絶縁層を形成するステップと、絶縁層上にビアを少なくとも部分的にライニングする導電層を形成するステップと、ビア内の導電層上に第１コンタクトを形成するステップと、ビア内の、少なくとも絶縁層まで基板の第２側部から基板を薄層化するステップとを含む。また、本方法は、第１コンタクトと電気接続状態にある第２コンタクトを基板の第２側部に形成するステップをも含み得る。本方法は、ウエハスケールのインターコネクト要素を形成するように半導体ウエハ上で実行可能である。さらに、インターコネクト要素を、発光ダイオード（ＬＥＤ）システムのような半導体システムを構築するのに使用可能である。 （もっと読む）

発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板と、当該基板上の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）と、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）に電気接続状態の基板上の少なくとも１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）とを備える。発光ダイオード（ＬＥＤ）システムは、ポリマーレンズ、及び、当該ポリマーレンズ上又は発光ダイオード（ＬＥＤ）上の白色光を生成するための蛍光層を含むことができる。さらに、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を基板に搭載可能であり、高機能に色を制御した発光のための異なる色を有することができる。基板及び特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）は、高機能を有する集積システムを提供するように構成される。さらに、基板は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）の機能を拡張するように構成されている。そして、追加の電気機能を実行するために集積回路への構築を含み得る。 （もっと読む）

本発明は光抽出粗面構造を有する発光ダイオード装置を開示する。当該装置は、リードフレームと、リードフレームに提供されると共にリードフレームに電気接続される１又は複数の発光ダイオードチップと、１又は複数の発光ダイオードチップを封入するように構成されたレンズとを備える。このレンズは微細粗目構造の表面を有する。レンズの微細粗目構造は、０．１μｍから５０μｍの間の粗度を有する。また、本発明は、光抽出粗面構造を有する発光ダイオード装置の製造方法をも開示する。 （もっと読む）

発光装置は、蛍光体層を有するＬＥＤを備え、複数のＬＥＤセット（３０２、３０４）及び複数のＬＥＤセット（３０２、３０４）内の対応するＬＥＤを覆う複数の蛍光体層のセット（３０６、３０８）を含む。複数のＬＥＤセット（３０２、３０４）の少なくとも２つが、異なる発光ピーク波長を有する。複数の蛍光体層のセット（３０６，３０８）の少なくとも１つの主蛍光波長が５００ｎｍから５８０ｎｍまでの範囲にあると共に、別の複数の蛍光体層のセット（３０６，３０８）の少なくとも１つの主蛍光波長が５９０ｎｍから６５０ｎｍまでの範囲にある。 （もっと読む）

半導体装置のＧａＮ層の反転した構造の表面上にコンタクトを形成する技術が開示されている。ｎドープＧａＮ層は、そのｎドープＧａＮ層が形成されていた基材を除去することで露出される表面を有して形成される。このような表面の結晶構造は積層ｐドープＧａＮ層の表面とは大きく異なる特性を有する。 （もっと読む）

発光ダイオードを製造するシステムおよび方法は、多層エピタキシャル構造体をキャリア基板上に形成するステップと、少なくとも１層の金属層をその多層エピタキシャル構造体上に堆積するステップと、そのキャリア基板を除去するステップとを含んでいる。 （もっと読む）

【解決手段】垂直発光ダイオード（ＬＥＤ）は、金属基材(70)、前記金属基材に結合したｐ−電極(72)、前記ｐ−電極に結合したｐ−接点(74)、前記ｐ−電極に結合したｐ−ＧａＮ部(76)、前記ｐ−ＧａＮ部に結合した活性領域(78)、前記活性領域に結合したｎ−ＧａＮ部(82)、及び、前記ｎ−ＧａＮ部に結合した蛍光体層を備えている。 （もっと読む）