【課題】ラッチアップを利用したＥＳＤ保護のための半導体装置において、ラッチアップ発生電圧を任意の値に設定すること。
【解決手段】半導体装置３００は、Ｐ型基板３０１と、Ｐ型基板３０１の表面に形成されたＮ型ウェル領域３０２と、Ｎ型ウェル領域３０２の表面上のＰ＋型拡散領域３０３及びＮ＋型拡散領域３０４と、Ｐ型基板３０１とＮ型ウェル領域３０２との境界上に配置された酸化膜３０５と、酸化膜３０５の一部の上に配置されたポリＳｉ３０６と、Ｐ型基板３０１の表面上のＰ＋型拡散領域３０７及びＮ＋型拡散領域３０８とを備える。フローティング電極３０９は、ポリＳｉ３０６及びＮ型ウェル領域３０２とそれぞれ容量結合するように配置されている。ポリＳｉ３０６は接地されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＭＯＳトランジスタのオフ時における耐圧を高めること。
【解決手段】ＬＤＭＯＳトランジスタ３００は、Ｐ型基板３０１の表面に形成されたＮ型ドリフト領域３０２と、Ｎ型ドリフト領域３０２の表面上のフィールド酸化膜３０３と、Ｎ型ドリフト領域３０２の表面上にフィールド酸化膜３０３に隣接して配置されたＮ＋型ドレイン領域３０４と、Ｐ型基板３０１の表面上のＮ＋型ソース領域３０５と、Ｐ型基板３０１のフィールド酸化膜３０３とＮ＋型ソース領域３０５との間の表面を覆うゲート電極３０６とを備える。ゲート電極３０６はＰ型基板３０１の表面と絶縁体により分離されている。フローティング電極３０７は、ゲート電極３０６及びＮ型ドリフト領域３０２とそれぞれ容量結合するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】調光デューティーが小さい、すなわち低いオンデューティーであっても一定の出力電圧を維持し、発光素子のちらつきを低減するＰＷＭ調光回路を提供すること。
【解決手段】ＰＷＭ調光回路の負荷Ｌｏａｄと誤差増幅器１１との間にモード設定部１６をさらに備える。モード設定部１６は、最小周期設定信号ＣＮＴを入力することにより、調光用ＰＷＭ信号が最小周期設定信号ＣＮＴより小さい場合、通常動作モードから低デューティー動作モードに移行させる。低デューティー動作モードのとき、スイッチ１８が開いてスイッチ１９が閉じるので、誤差増幅器１１の比反転入力端子は、接続されていた抵抗を切断されてグランド電位に接続される。そのため、フィードバック制御は停止され、ゼロ電位の信号ＦＢにより誤差信号ＣＯＭＰが最大になり、出力電圧ＶＯＵＴを大きくするようにＤＣ／ＤＣコンバータが動作する。 （もっと読む）

【課題】部品点数を増やさず、増幅器のゲインを下げることなく異常時制御の精度を高めた過電圧保護回路を提供すること。
【解決手段】誤差増幅器１１の出力端子には抵抗およびキャパシタンスを含む位相補償回路１５が接続され、誤差増幅器１１の出力端子と位相補償回路１５との間に抵抗Ｒｏとスイッチ１７を備える。ＯＶＰコンパレータ１２を備え、信号ＯＶＰＢを出力する。ＯＶＰコンパレータ１２は、コンパレータとして動作すればよいため、電流出力能力の小さい回路で十分である。また、抵抗の両端子の電圧を入力し比較する電圧差比較器１３を備え、論理回路を介してスイッチをオンオフする制御信号を生成する。すなわち、電圧差比較器１３は、抵抗間の出電圧により２つの信号ＥＡＯＢとＣＯＭＢを出力し、上記信号ＯＶＰＢとでスイッチのオンオフを制御する。 （もっと読む）

【課題】ローサイド側のスイッチング素子またはインダクタに流れる電流を検出することなく、消費電流の少ない簡素な構成によりスイッチング素子の制御を行う。
【解決手段】出力電圧が所定の基準電圧（Ｖｒｅｆ）を下回るのに応じて、ハイサイド側のスイッチング素子（２）およびローサイド側のスイッチング素子（３）を相補的に駆動する第１の動作状態を開始し、また、出力電圧が所定の基準電圧を上回るのに応じて、ハイサイド側およびローサイド側のスイッチング素子をオフする第２の動作状態を開始する。第１の動作状態において、第１のスイッチング素子に流れる電流が所定の基準電流値（Ｉｐ）に満たないときには、第１のスイッチング素子をオンに、第１のスイッチング素子に流れる電流が所定の基準電流値に達したときには、一定時間の間、第２のスイッチング素子をオンにする。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの充放電により鋸波を発生させる回路において、帰還回路の動作遅延によるボトム電圧、周波数のばらつきを低減する。
【解決手段】所定の電流を供給する定電流源Ｉosc５０と、上記定電流源Ｉosc５０に一端が接続された抵抗Ｒoscと、上記抵抗Ｒoscの他端に一端が接続され、他端が接地されたコンデンサＣoscと、上記コンデンサＣoscの両端に接続されたスイッチング素子４０と、上記コンデンサＣoscの出力を用いて上記スイッチング素子４０をスイッチングする帰還回路１００とを備え、上記定電流源Ｉosc５０と上記抵抗Ｒoscとの間の接続点を出力端子として鋸波を発生する鋸波発生回路。 （もっと読む）

【課題】 負荷の変動形態に応じて適切に出力電圧の変動を抑制し得る定電圧電源を提供する。
【解決手段】 出力電圧にオーバーシュートが発生した場合には、トランジスタＭ１を高速でオンさせると共に、トランジスタＭ２、Ｍ３によるカレントミラー回路を外付けコンデンサの余剰な蓄積電荷を利用して駆動する。これにより迅速にスイッチ回路をオン状態とすると共に、オーバーシュートの原因となる外付けコンデンサＣ１の余剰な蓄積電荷を大きな電流で以ってグランドに逃がす。スイッチ回路１が作動すると却って不都合な場合には、負荷の稼動・停止に応じたイネーブル信号をトランジスタＭ４に供給し、スイッチ回路１を不動作状態にしておく。 （もっと読む）

【課題】 回路構成の改良により比較的高周波領域におけるリップルリジェクション特性を向上させた定電圧電源を提供する。
【解決手段】 定電圧源ＶＢより一定のバイアスの供給を受けて動作するトランジスタＭ３を能動負荷を構成するトランジスタＭ１と差動増幅回路を構成するトランジスタ５の間に設置する。そして、前記トランジスタＭ３がパワートランジスタＭＰのゲートと能動負荷Ｍ１の間に介在するように、トランジスタＭ３とトランジスタＭ５の共通接続点に現れる信号を利用してパワートランジスタＭＰを駆動する。 （もっと読む）

【課題】 突入電流のピークを通常動作時用に設定された制限電流よりも低くすることで起動時に周辺回路・装置に悪影響を与える恐れの少ない定電圧回路を提供する。
【解決手段】 パワートランジスタＭｐｔに流れる電流をカレントミラー回路１３と電流検出回路１４で検出し、それが予め設定された値以上になった場合、電流の大きさに応じた電流検出信号Ｓｃｄを補正回路１６に供給する。補正回路１６において、パワートランジスタＭｐｔに供給される駆動信号Ｓｄｒｖを電流検出信号Ｓｃｄの大きさに応じて減少させる。起動時においては、レベル切換回路１５が電流検出回路１４に電流検出信号Ｓｃｄのレベルを大きくさせ、補正回路１６における駆動信号Ｓｄｒｖの減少量を通常運転字よりも大きくさせる。 （もっと読む）

【課題】 電流ミラー比の大きなカレントミラー回路を内蔵する定電流回路において、電流ミラー比を調整可能とし、精度の高い出力電流が得られる定電流回路を提供する。
【解決手段】 電流基準部ＣＲＳ１と電流出力部ＣＯＳ１の間に補正回路ＭＣＣを配置する。補正回路ＭＣＣの内部には、電流基準部ＣＲＳ１内のトランジスタＭ１１とカレントミラー回路を構成するトランジスタＭ０１と、電流出力部ＣＯＳ１内のトランジスタＭ１２とカレントミラー回路を構成するトランジスタＭ０２を設ける。各トランジスタＭ１１とＭ１２に直列にトランジスタＭ０３とＭ０４を接続する。直列接続されたトランジスタとトリム素子（例えばＭＡ１とＴＡ１）を一対としたトリム回路を形成し、トランジスタＭ０３の主電流に対して並列にｍ個のトリム回路を接続する。同様にトランジスタＭ０４の主電流に対して並列にｍ個のトリム回路を接続する。 （もっと読む）