本発明は、ＳiＣウエハの焼戻しの方法及び装置に関するものである。本発明は、実施コストを抑えつつ、処理チャンバ内において充分なシリコンの分圧を得るためにＳiＣウエハを焼戻しする方法および装置を提供するものである。シリコンの分圧を上げるための、少なくとも気化したシリコンまたは気体状シリコンの発生源は、少なくとも１枚のウエハ（３）を受け入れる処理チャンバ（２）に接続され、前記発生源は流動性シリコン片（１１）を備える気化器（４）であり、キャリアガスは気化器に供給され、溶融シリコンを通して気体の流れを形成し、気化器（４）はパイプライン（５）を介して処理チャンバ（２）に接続されているか、または処理チャンバ（２）内に配置されている。
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【課題】周囲の雰囲気及び温度にかかわらず、基板を確実に加速、搬送及び再び制動することが可能な平面状の基板用の非接触型搬送装置を提供すること。
【解決手段】平面状の基板１を搬送路３に沿って搬送する非接触型搬送装置において、搬送路３の両側に所定の間隔をもって複数のベルヌーイチャック２ａ，２ｂを配置し、搬送される基板１が搬送路３の両側おけるベルヌーイチャック２ａ，２ｂをそれぞれ部分的に覆うよう構成し、基板１の搬送のために、搬送路３の両側におけるベルヌーイチャック２ａ，２ｂを、それぞれ左回り又は右回りに回転する気体流５，６を生成するよう構成した。
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本発明は、プロセス室における基体の処理のためのプロセスガスの濃度制御方法であって、液体を、キャリアガスの通された泡を用いてバブラー中で気化する方法に関する。
本発明は、プロセスガスの濃度制御を容易に実現できる方法を提供するという課題に基づく。
本発明の課題は、パブラー中において所定の一定の内部圧力を発生させて、そして、その後、所定の蒸気圧を調整するために同時にバブラー内で気化される媒体の温度を調節しながら、バブラー中へキャリアガスを導入することにより達成される。
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【課題】連続的に調整可能な冷却率を広範な温度範囲にわたって連続的に冷却率が調整可能であり、同時に、冷却／加熱プレート全面にわたって均一な温度分布を得ることが可能な基層の熱処理方法及び熱処理装置を提供すること。
【解決手段】冷却／加熱プレートによる基層の熱処理方法において、第１の媒体と、該第１の媒体より低い熱伝導率を有する第２の媒体とを、前記第１の媒体が前記第２の媒体を完全に包囲するように、同時に前記冷却／加熱プレート内を流通させる。また、前記第１及び第２の媒体の流通速度及び流通方向を、前記冷却／加熱プレートによって、互いに独立して調整する。
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