【課題】容易であり且つ確実に記憶装置又は機器に搭載された半導体素子を破壊できる半導体素子破壊装置の提供を目的とする。
【解決手段】半導体素子破壊装置１は、制御回路７を中心として、高電圧発生回路２と、表示装置５と、電源回路９と、昇降装置２３と、ロック装置４０とが制御回路７にそれぞれ接続されている。高電圧発生回路２は、半導体素子破壊装置１の主要となる高電圧パルスを生成可能な回路である。高電圧発生回路２には、一対の放電端子３,４が接続されており、放電端子３と放電端子４間に記憶装置又は機器を位置させた状態で高電圧パルスを放電可能である。 （もっと読む）