本発明は、単層カーボンナノチューブおよび他の炭素の同素体を製造するための、新規かつ低コストの方法に関する。該方法は、材料がグラファイトからなる固体前駆体の昇華のために、大電流で127 VACまたは220 VACの電源を使用する。固体前駆体は金属電極に接続され、大電流が接点を流れ、高温下でグラファイトが粉砕される。炭素材料は、大気圧下で反応装置の壁および電極に堆積される。得られた材料は酸で精製され、その後、カーボンナノチューブが分離される。一般に、この新規な合成法は金属触媒が無いこと、炭素材料を製造するための媒介に短絡電流を使用すること、低圧で反応すること、および極めて低コストかつ低い動作電圧をう用いる装置のアセンブリであることを特徴とする。
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