【課題】半導体基板をエッジエッチングするための基板支持装置及びこれを備えるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板支持装置の中心領域に基板支持のための電極を配設し、かつ基板支持装置のエッジ領域にＲＦ電源受信のための電極５１０を配設することにより、中心領域とエッジ領域に電源がそれぞれ別々に提供可能な基板支持装置５１１が開示される。この基板支持装置を備えることにより、半導体基板１０のエッジ領域に堆積される薄膜又はパーティクルが除去可能であり、しかも、基板エッジのエッチング工程中における半導体基板の中心領域の損傷が防止可能な基板エッジエッチング装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】基板背面に形成された各種異物を取り除くためのプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、非反応性ガスが噴射される第１電極３０と、第１電極３０との離隔を調整可能であり、基板５０を支持する基板支持台２０と、基板支持台２０と離隔配置され、電源７０が印加されて反応性ガスが噴射されて、基板支持台２０によって支持された基板５０との間にプラズマを生成させる第２電極４０と、により構成される。基板支持台２０は、少なくとも一つのアーム２１を備え、基板の安定した搭載を保障する。 （もっと読む）

本発明は、基板背面のエッチング均一度と工程効率を高めるための基板ホルダ、基板支持装置、基板処理処置、及びこれを利用する基板処理方法に関する。本発明の基板ホルダは、基板の端が配置されるリング状の配置部と、前記配置部の下部面に連結されて前記配置部の下部面を支持する側壁部と、前記側壁部に形成された排気孔とを含む。本発明の基板支持装置は、電極部と、前記電極部の外縁部に設けられる緩衝部材と、前記緩衝部材上に位置され、基板の端を支持して基板を前記電極部から離隔させる基板ホルダと、前記電極部と前記基板ホルダを昇降させる昇降部材とを含む。本発明の基板処理処置は、チャンバと、前記チャンバ内に設けられる遮蔽部材と、前記遮蔽部材と対向して設けられる電極と、前記遮蔽部材と前記電極の間に設けられる基板ホルダとを含み、前記基板ホルダは基板の端が配置されるリング状の配置部と、前記配置部の下部面に連結されて前記配置部の下部面を支持する側壁部と、前記側壁部に形成された排気孔とを含む。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

基板支持装置及びこれを備えるプラズマエッチング装置が開示される。基板支持装置の中心領域に基板支持のための電極を配設し、かつ基板支持装置のエッジ領域にＲＦ電源受信のための電極を配設することにより、中心領域とエッジ領域に電源がそれぞれ別々に提供可能な基板支持装置が開示される。この基板支持装置を備えることにより、半導体基板のエッジ領域に堆積される薄膜又はパーティクルが除去可能であり、しかも、基板エッジのエッチング工程中における半導体基板の中心領域の損傷が防止可能な基板エッジエッチング装置が開示される。
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所定の薄膜パターンを持つ素子が形成されるウェーハのような基板を、安定的に支持して基板背面に形成された各種異物を取り除くための基板支持台と、これを備えるプラズマ処理装置が開示される。このプラズマ処理装置は、少なくとも一つのアームと、アームから基板の搭載位置方向に延設される支持部と、を備える。このようなプラズマ処理装置は、乾式蝕刻と比べて、アーク放電発生の可能性を低減させ、工程収率及び製品安全性を上昇させ、基板の安定した搭載を保障する。
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