ウェハ質量の変化によって処理工程が特徴付けられる、それによって、製造の間、１つ以上の処理工程における統計的な処理制御を実現するための測定可能なパラメータとして質量が用いられる、半導体ウェハ製造メトロロジー方法。ある局面において、測定された質量分布の形状は、処理を監視するために、予め定められた特有の質量分布の形状と比較される。処理の制御変数と特有の質量変化との間における、定められた、実験に基づく関係によって、測定された質量分布と特有の質量分布との差が、制御変数について情報を与えることを可能にし得る。別の実施例において、個々の計測された、現在の分布におけるウェハ質量変化の相対的な位置は、一般的な処理問題から独立して、個々のウェハ問題についての情報を与える。
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半導体ウェハにおいて、大気浮力が補償される重量の力の計測値に対する静電力の影響を修正する半導体ウェハ計測技術である。一局面では、ウェハは、独立して測定されるファラデー遮蔽部において計量される。ファラデー遮蔽部の測定重量の変化は、ウェハの測定重量を修正するよう用いられ得る。別の局面では、直接的な静電測定値が、電荷計によって測定される静電荷と重量誤差力との間の所定の相関を用いて、重量修正値に変換され得る。別の局面では、静電測定値は、非直接的であってよく、たとえば、ウェハと、ウェハに平行な、接地に接続された板との間の距離を変動させて当該接地に接続された板とウェハとの間の静電力を変化させることで導出されてもよい。
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ウェハの大気浮力補償計量を実行するステップを含む半導体ウェハ計測技術において、ウェハは実質的に直立の状態で計量される。垂直またはほぼ垂直のウェハの向きによって、力（重量）センサの方向における表面積が、水平なウェハの向きと比べて小さくなる。したがって、ウェハの重量の力の成分と同じ方向に作用する静電力成分が小さくなる。
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ウェハ基板の振動を励起し測定することによって半導体ウェハの製造を監視するための測定装置および方法。測定可能な振動のパラメータ（たとえば周波数）は振動する領域の質量を示す。ウェハ処理によって引起された質量変化は、処理の前後に得られた振動測定値の変化に反映される。装置はウェハ支持部（たとえば突出する棚部（１９））、振動励起装置、たとえば接触プローブ（２８）または圧力差アプリケータ、および測定装置、たとえば周波数センサ（６２）を含む。
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