【課題】半導体エピタキシャル層を高解像度で分析する。
【解決手段】Ｘ線２６の集束するビーム３０を、エピタキシャル層がその上に形成されたサンプル２２の表面に配向するステップと、１つの回折ピークとエピタキシャル層に起因する周辺スペクトルを有する回折スペクトルを生成するため、サンプルから回折されたＸ線を検知し、同時に、検知されたＸ線を角度の関数として解析するステップと、からなる分析方法。周辺スペクトルの特性はエピタキシャル層の緩和を測定するために分析される。 （もっと読む）

【課題】単一又は複数の較正サンプルを使用した真空紫外域度量衡システムの較正方法を提供する。
【解決手段】複数の較正場所３０３，３０５を有する較正パッド３００が提供される。特定の較正場所は、例えば汚染により使用が許容されないと判断されるまで使用され、較正工程はその較正パッドを異なる較正場所に移動する。移動は時間とともに較正工程に使用される場所から場所へ起こる。他の較正場所へ移動する時期を判定する種々の基準が確立される。１つの較正場所３０５が「不良」と示されるのは測定された反射率データに基づくが、他の基準も使用されうる。例えば、ある場所が光に露出されていた回数はその場所が不良と示す基準になりうる。あるいはある場所の累積露出も基準になりうる。さらに１つの較正パッド上に配置された複数の較正場所は、使用前に許容不能な較正場所を選別除外するため事前評価されうる。 （もっと読む）