説明

株式会社ソフ.エンジニアリングにより出願された特許

1 - 1 / 1


【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。
【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水200中にシリコン基板100を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器20から純水200を介してシリコン基板100に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるIPAを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。 (もっと読む)


1 - 1 / 1