【課題】パワーＭＯＳトランジスタにおいて、高い降伏電圧、高い出力電流および高速の動作速度を備えるのみならず、水平構造を備えるために、ＣＭＯＳの製造工程で製作された一般的な集積回路と同一のチップ上に整合させる。
【解決手段】本発明のトレンチ型パワーＭＯＳトランジスタはゲート導電体３１２と、絶縁層３１０とを備えたトレンチ型ゲート領域を具備する。絶縁層３１０は、ゲート導電体３１２と井戸領域３０８との間で薄い側壁領域を形成しており、ゲート導電体３１２と二重拡散のドーピング領域３０６との間で厚い側壁領域を形成するとともに、ゲート導電体３１２と深井戸領域３０４との間で厚い最下部領域を形成している。 （もっと読む）