【課題】メモリセルや、高電圧トランジスタや、高性能トランジスタなどの、異なるタイプのトランジスタを、同一基板上に形成することが可能なフラッシュメモリ等の半導体装置を提供する。
【解決手段】高電圧トランジスタは、誘電膜２０で覆われた第１のポリシリコン層２２により形成される。誘電膜２０上の第２のポリシリコン層２４は、トランジスタのゲート２２上に側壁スペーサ２４を形成するためにエッチングされる。側壁スペーサ２４は、ソースおよびドレイン３２を形成し、そして、サブリソグラフィックな軽度にドープされたドレイン３４を画定するために使用される。スペーサ２４を取り除いた後、下地の誘電膜２０は、軽度にドープされたドレイン３４を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリは一般に、メモリコントローラとの間で書き込みを調整するために双方向通信を必要とするという事実があるにもかかわらず、ＤＲＡＭと不揮発性メモリの両方に共通の標準規格を使用することができる方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ１２の或るパッケージコネクタ（ＺＱピン）は、読み出し時において、メモリコントローラ１０との通信を含まない１つの機能に使用でき、かつ書き込み時において、メモリコントローラ１０との通信に使用できる。特に、書き込み時におけるこれらの通信は、不揮発性メモリ１２が書き込みの準備ができるまで書き込みが保留されなければならないように、メモリ１２がビジーな時と、メモリ１２が書き込みの準備ができた時とを、メモリコントローラ１０に知らせるものであることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 マスタ／スレーブ設定ではなく、ピアツーピア設定で動作することができる不揮発性メモリが提供される。
【解決手段】 実施形態によっては、本メモリは、メモリの外のデバイスとのトランザクションを開始することができる。従って、本メモリは、従来はメモリコントローラと他の外部デバイスとで実行されるタスクを、主体的に実行することができる。 （もっと読む）