ナノチューブ電界効果トランジスタおよび製造方法を開示する。本方法は、開口部によって画定される導電層の領域と接触するようにするナノチューブの電気泳動堆積を含む。
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ナノチューブデバイスおよびデバイス製造のためにナノチューブを堆積させる方法を開示する。本方法は、ナノチューブの電気泳動堆積に関し、画定された領域内での堆積したナノチューブの数および位置決めの制御を可能にする。
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