【課題】一方の濃度を一定に保つことで他方の濃度が一定範囲で変化しても所定のエッチングレートを維持することができることに着目し、一方の酸のみを添加することにより、エッチングレートを一定に維持することが可能なシリコンウェーハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置を提供すること。
【解決手段】所定のエッチング量を得るためのフッ酸の濃度を第１のフッ酸濃度とし、所定のエッチング量を得るための硝酸の濃度を第１の硝酸濃度としたとき、硝酸の濃度を第１の硝酸濃度よりも高く、フッ酸の濃度を第１のフッ酸濃度とした薬液をエッチングに使用するエッチングステップと、エッチングステップで使用した薬液に、第１のフッ酸濃度よりも高い濃度のフッ酸を添加する添加ステップとを有し、添加ステップの後の薬液を再びエッチングに使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法は、Ｓｉウェーハをスピンさせ、スピン中の前記Ｓｉウェーハにノズルから薬液を吐出させることで、砥石による加工処理によって生じるＳｉウェーハのマイクロクラックや欠陥などの加工ダメージを除去し、薬液が、４．４５ｗｔ％から２４．５ｗｔ％の弗化水素と、３１．５ｗｔ％から５４．０９ｗｔ％の硝酸と、５ｗｔ％から１３．６４ｗｔ％の酢酸とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水においてより高い洗浄効果を得るために、気体添加を目的とした気体透過性の膜を介して、適量の気体成分を洗浄水に添加することにより洗浄水のｐＨと酸化還元電位（ＯＲＰ）をより簡便かつ精密に制御できる水溶液のｐＨ及び酸化還元電位の制御方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 気体添加を目的とした気体透過性の膜を介して、気体成分を水溶液に添加することにより水溶液のｐＨと酸化還元電位を制御するものであって、半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水として水素添加水を用い、前記水素添加水に添加する前記気体成分としてアンモニアガスを使用する。 （もっと読む）