説明

レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニーにより出願された特許

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表面の清浄化に有用なデバイス及び方法、特に、半導体産業、光学系などに典型的に使用される構成要素の表面の清浄化に有用なデバイス及び方法を提供する。本発明は、清浄化される表面のすぐ上方の環境へのアクセスが限定的であるか又はできないターゲット表面のレーザ表面清浄の方法である。本方法は、基板損傷の危険性の少ない表面を清浄する機能を含む。本方法は、汚染された基板表面の直接レーザ励起と基板から汚染粒子又は汚染層への熱伝達とを含む。本方法はまた、熱ベースの除去をもたらす段階と、表面清浄をもたらすのに必要な温度を基板材料の熱損傷レベルよりも低く保つことによって基板損傷の危険性を低減する段階とを含む。更に、本方法は、比較的長いパルス幅の利用によって基板損傷の危険性を低減する段階と、小さい汚染物質/粒子の除去の改善を提供する段階と、基板環境筐体の一部である表面に対して配置された材料を通過するようにビームを誘導する段階とを含む。 (もっと読む)


本発明は、部分吸収薄膜が配置されたフォトマスク基板の方向に電磁放射線を誘導する段階と、フォトマスク基板に温度上昇を発生させる段階と、薄膜の位相遅延損失の少なくとも一部分を回復させる段階とを含むフォトマスクの有効耐用年数を増加させる方法を提供する。電磁放射線は、フォトマスク基板の高吸光係数と実質的に一致する波長を有する。 (もっと読む)


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