説明

有限会社ユナテックにより出願された特許

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【課題】半導体ウェハ表面に存在するソーマークなどの線状の凹凸について、短時間かつ容易に検査が可能であり、検査に対する振動の影響を低減できる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハWの表面の全域に光源装置2によって斜め方向から光を照射し、CCDカメラ4で半導体ウェハW全体を撮影する。これにより、半導体ウェハWの各ポイントからの前記照射光の反射光または散乱光の強度を検出する。取得された光の2次元的な強度分布に基づいて、半導体ウェハWの表面に生成されたソーマークなどの凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 (もっと読む)


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