本発明によれば、デバイス、好ましくは偏光依存利得が小さい光増幅器が提供される。増幅器は、光利得を提供するための隣接する複数の半導体層を備えた利得媒体を備えており、これらの隣接する半導体層は、電子のための１つまたは複数の量子井戸を画定しており、利得媒体中における直接電子−正孔遷移および間接電子−正孔遷移の両方を提供するように動作する。伝導帯中の第１の量子化電子エネルギー準位および価電子帯中の第１の量子化正孔エネルギー準位は、第１の層中に位置している。価電子帯中の他の第１の量子化正孔エネルギー準位は、隣接する第２の層中に位置している。第１の層中の第１の量子化正孔エネルギー準位は、軽い正孔状態か、あるいは重い正孔状態のいずれかであり、第２の層中の他の第１の量子化正孔エネルギー準位は、第１の層中の第１の量子化正孔エネルギー準位とは異なる正孔状態である。第２の層は、Ｉｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＧａ_ｙＡｓ（ｘ＞０、ｙ＞０）を含んでいることが好ましい。
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本発明は、電子デバイス用の、好ましくは、光電子デバイス用の、電流遮断構造を提供する。電流遮断構造が、ｎ−型ルテニウムドープリン化インジウム（Ｒｕ−ＩｎＰ）層を備えた半導体材料配列と、第１ｐ−型半導体材料層と、を備え、ｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層が、０．６μｍ未満の厚さである。半導体材料配列と、ｐ−型半導体材料層と、が、電流遮断ｐ−ｎ接合を形成する。電流遮断構造が、他のｎ−型層および／または多数のｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層および／または真性／ドープされていない層をさらに備えてよく、ｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層が、０．６μｍよりも厚くてよい。
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本発明に従う電界吸収型光変調器は、少なくとも一層のｐドープ半導体(６)と少なくとも一層のｎドープ半導体(８)との間に吸収層(７)を具え、これら層はリッジ型導波路構造を形成し、吸収層の厚さが９〜６０ｎｍの範囲であり、かつリッジ部の幅が４．５〜１２μｍの範囲であることを特徴とする。
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