基板ウェブ上に半導体材料吸収層の薄膜層を形成するための改善された方法および装置を提供する。本発明の教示に従って、半導体層をマルチゾーンプロセスで形成することができ、これにより、さまざまな層が移動する基板ウェブ上に順次蒸着される。
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基板ウェブ上にカルコゲニドの薄膜緩衝層を形成するための改善された方法および装置。1つまたは複数の緩衝層に対する反応物質を含む溶液は、施す前に混合する代わりに、基板ウェブに個別に分注されうる。ウェブおよび/または分注される溶液は、複数の加熱素子によって加熱されうる。
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