【課題】コストアップにつながる犠牲層を必要としないウエハーレベルパッケージを製造する方法を提供する。
【解決手段】ウエハーレベルパッケージは、光限定性重合体を部分硬化状態に維持しながら、該重合体を装置ウエハー上に配置された装置１６の周囲に枠組構造に成形して製造される。別の重合体材料を用いて担体ウエハー上に冠構造３０を形成する。冠構造は、装置を穴内に配置するように枠組構造に固着させ、部分硬化した光限定性重合体の結合力により枠組構造を保持するため、冠構造に十分な圧力を適用する。光限定性重合体の結合力は冠構造を担体ウエハーに固定する接着強度よりも大きい。冠構造を枠組構造に固着させた状態で、担体ウエハー２４を、冠構造から担体ウエハーを分離するのに十分な力で装置ウエハー１４から分離する。 （もっと読む）

【課題】改善された挿入損失と品質の値を有するＳＡＷデバイスの製造方法及びその製造方法により製造されたＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板１２の表面に金属電極１６を有するＳＡＷデバイス１０は、表面に堆積した誘電体層１８を含む。誘電体層１８を堆積すると、基体の表面上に拡張する金属電極１６から上方に拡張する縫い目２０、２２が得られる。誘電体層１８内の隣接する金属電極１６ａから拡張する第二の縫い目２０と結合する金属電極１６ｂから拡張する第一の縫い目２２からは別の縫い目が得られ、この縫い目は一般に金属電極１６の高さより高く形成される。誘電体層１８は、所望の金属電極１６上に誘電体層１８の厚さを提供するために、更に平坦化してよい。 （もっと読む）

【課題】ピストンモード音響波装置と高結合係数を提供する方法を提供する。
【解決手段】すだれ状電極２６は、ギャップ３４、３６によってトンネル効果を抑制又は排除するために十分に拡張されたエッジギャップ長を、電極の端部と対向するバスバー１６，１８との間に含む。結果として、長手方向に延びるエッジ領域５４，５６内での音響波の波速度がトランスデューサ中央領域４６での波速度より遅く、対向するギャップ領域３８，４０での波速度がトランスデューサ中央領域での速度より速くなり、トランスデューサ２６の開口部では本質的に均一な伝搬モードが生じる。高結合基板上のＳＡＷトランスデューサ又はＳＡＷ共振器では、アポディゼーションを必要とせずにトランスデューサ領域でエネルギーを誘導する。等価結合係数が大きくなり損失が減少する。 （もっと読む）