【課題】電荷の蓄積を制御することによりメモリセルを消去するフラッシュＥＥＰＲＯＭの消去方法を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリの消去方法は、Ｆ/Ｎトンネリング期間において、ウェル電極と第二半導体領域に対し正極性の第一電圧バイアスを印加し、且つコントロールゲート電極に対し負極性の第二電圧バイアスを印加するステップと、Ｆ/Ｎトンネリング期間のあとのトラップ減少期間において、ウェル電極と第二半導体領域に対し正極性の第三電圧バイアスを印加し、且つコントロールゲート電極に対し第一ゼロ電圧バイアスを印加するステップと、トラップ減少期間のあとのトラップアシストトンネリング期間において、コントロールゲート電極に対し負極性の第四電圧バイアスを印加し、且つウェル電極と第二半導体領域に対し第二ゼロ電圧バイアスを印加するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術における直流電流バイアスによる電流の大幅消耗を減少させ、又メモリセルのしきい電圧を迅速に且つ高解析度で検出する目的を達成する。
【解決手段】本発明は、参照メモリセルを利用したＮＶＭ読取構造を提供して、適切な検出速度及び良好な正確度により参照メモリセルM_rf及び読取ＮＶＭセルM_Cの両者間のしきい電圧差を識別する。 （もっと読む）

【課題】過剰にプログラムされた電界効果トランジスタ（FET）不揮発性メモリ（NVM）セルに応用する閾値電圧降下方法を提供する。
【解決手段】（ａ）第一電圧と第二電圧を過剰にプログラムされたFET NVMセルのコントロールゲートとボディにそれぞれ印加する。（ｂ）所定時間内に、信号を前記過剰にプログラムされたFET NVMセルのドレインに印加して、有限閾値電圧減少量を生じさせる。そのうち、前記第一電圧と第二電圧の極性は、前記信号の極性に相反する。これにより、蓄積材料中の電荷配置を特定電荷状態の小さい範囲内に正確に制御し、更に、高デジタル蓄積密度を達成することができる。 （もっと読む）