キマ テクノロジーズ, インコーポレイテッドにより出願された特許
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III族窒化物テンプレート、ならびにそれを構成するための関連するヘテロ構造、デバイスおよび方法
テンプレート化基板は、ベース層と、ベース層上に配置されており、単結晶III族窒化物を含む組成物を有している、テンプレート層とを含む。テンプレート層は、ベース層上にある連続副層と、第1の副層上のナノ円柱状副層とを含み、ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を含む。上記ベース層は、サファイア、SiC、6H−SiC、4H−SiC、Si、MgAl2O4、およびLiGaO2から成る群より選択される材料を含み得る。
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