【課題】小さい入力−出力差分電圧を維持し、既定の応答を提供する半導体装置、回路、そしてＡＣ及びＤＣロードスイッチを提供する。
【解決手段】ロードスイッチは、入力端子及び出力端子へ結合された通過素子を含み得る。通過素子は制御端子を含み、制御端子は通過素子の応答を制御し得る。ロードスイッチは第１のループを含み得る。第１のループは制御端子へ結合され、通過素子との高インピーダンスを維持しながら入力端子及び出力端子間の電圧降下を制御するように構成される。ロードスイッチは第２のループを含み得る。第２のループは制御端子へ結合され、既定のフィルタ応答を入力端子から提供するように構成される。既定の応答は、低域通過応答、高域通過応答、又は帯域通過応答であり得る。応答の通過帯域及び／又は阻止帯域は、プログラムされ得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）トランジスタと、これを製造する方法を提供する。
【解決手段】LDMOSトランジスタはｐ型基板上に形成されたｎ型エピタキシャル層と、LDMOSトランジスタのゲートとして機能する非対称導体スペーサとを備える。LDMOSトランジスタはまた、非対称導体スペーサの両側のソース領域及びドレイン領域と、イオン注入を非対称導体スペーサに行うことで形成されたチャネル領域とを備える。非対称導体スペーサの高さはソース領域からドレイン領域に向かって増加する。チャネル領域は、基本的に完全に非対称導体スペーサの下に存在し、従来技術のLDMOSトランジスタのチャネル領域の長さよりも短い長さを有する。本発明のLDMOSトランジスタはまた、当該トランジスタの活性領域を囲むフィールド酸化物層と、非対称導体スペーサをｎ型エピタキシャル層から絶縁する薄い誘電体層とを備える。 （もっと読む）