【課題】従来の太陽電池と比較して高い性能の光起電性装置、および低コストでこのような光起電性装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】光起電性装置に関し、光電池などの光起電性装置に配置される金属接点、およびこのような金属接点を形成する製造プロセスに関する。これらの金属接点は、アニールプロセスの際に低温で形成されたパラジウムゲルマニウム合金を含有する。幾つかの実施形態では、光電池は、アニールプロセスの際に約２０℃乃至約２７５℃の温度、例えば約１５０℃で約３０分間加熱される。他の実施形態では、光電池は、アニールプロセスの際に約１５０℃乃至約２７５℃の温度で少なくとも約０．５分間加熱される。 （もっと読む）

【課題】ｎ型積層体が前面または太陽側を向いてｐ型積層体が電池の裏面にあるように、ｐ型積層体の上に配置されたｎ型積層体を有するヒ化ガリウムベースの電池を提供する。
【解決手段】光電子半導体装置９０は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）で作られ、一種類のドーピングのみを有する吸収層１０８を有している。エミッタ層１１０は吸収層１０８よりも当該装置の裏面に近く配置され、吸収層１０８とは異なる材料で作られて吸収層１０８よりも大きいバンドギャップを有している。ヘテロ接合はエミッタ層１１０と吸収層１０８の間に形成され、ｐ−ｎ接合はエミッタ層１１０と吸収層１０８の間であって、少なくとも部分的に前記異なる材料の範囲内でヘテロ接合からオフセットした位置に形成される。装置が当該装置の前面において光に露出されることに反応して、ｐ−ｎ接合は当該装置に電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】日陰による影響を最小限にするように構成されている太陽光パネルを提供する。
【解決手段】太陽電池、太陽光パネルおよび／または太陽光アレイといった太陽エネルギを捕捉するのに適合している装置に利用される電気配線の方法および装置が記載されている。太陽光パネル３００は、太陽光パネルの中心部に配置され第１の回路３１０Ａと電気通信している第１の複数の太陽光装置と、第１の複数の太陽光装置を取り囲んでいる第２の複数の太陽光装置とを有しており、第２の複数の太陽光装置は第２の回路３１０Ｂと電気通信しており、第２の回路３１０Ｂは第１の回路３１０Ａとは異なっている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般にソーラー装置または他の電子装置として使用される薄膜の製造装置に関し、ソーラー応用に利用される織り目加工された後方反射器を含む。一実施形態では、織り目加工された金属後方反射器を形成する方法は、金属層を薄膜堆積内のヒ化ガリウム材料上に堆積すること、焼きなまし工程中に金属島の配列を金属層から形成すること、金属島間に開口を形成するために材料をヒ化ガリウム材料から除去することまたはエッチングすること、ならびに開口を充填し金属島を覆うために金属反射層を堆積することを含む。別の実施形態では、織り目加工された金属後方反射器は、ヒ化ガリウム材料上に配置された金属島の配列、金属島間に配置され、ヒ化ガリウム材料の中に延びる複数の開口、金属島を覆って配置された金属反射層、および金属島間に形成され金属反射層からヒ化ガリウム材料内に形成された開口の中に延びる複数の反射突起部を含む。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス用装置に関する。一の実施例では、蒸着反応装置システム内のウエハキャリアを浮上させて移動させるウエハキャリアトラックが設けられており、このトラックはトラックアセンブリの上側及び下部を具え、その間にガスキャビティが形成されている。上部の上面に沿って、及び２つの側面に沿ってガイドパスが延びており、これらの側面は、ガイドパスに沿ってその上に及び互いに平行に延在している。ガイドパスに沿って複数のガス孔が、上部の上面から、上部を通って、ガスキャビティへ延在している。いくつかの実施例では、トラックアセンブリの上側及び下部が、独立して石英を具えており、いくつかの実施例では、互いに結合されている。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着プロセスの装置に関する。一の実施例では、蒸着用反応装置蓋アセンブリが提供されており、これは、第１のシャワーヘッドアセンブリとアイソレータアセンブリとが蓋サポートの上に隣り合って配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリと排気アセンブリとが、蓋サポートの上に隣り合って配置されており、アイソレータアセンブリが、第１及び第２のシャワーヘッドアセンブリの間に配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリがアイソレータアセンブリと排気アセンブリとの間に配置されている。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）用装置及び方法に関する。一の実施例では、ＣＶＤ反応装置システム用の加熱ランプアセンブリが設けられており、このアセンブリは、支持ベースの上面上に配置されており、第１のランプホルダから第２のランプホルダへ延在する複数のランプを有するランプハウジングを具える。このランプは、分割フィラメントランプ及び／又は非分割フィラメントを有していても良く、いくつかの例では、分割及び非分割フィラメントが、第１及び第２のランプホルダの間に交互に配置されていても良い。第１及び第２のランプホルダの間の支持ベースの上面上にリフレクタを設けても良い。別の実施例では、この方法は、ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから生じるエネルギィに露出させるステップと、当該ウエハキャリアを所定の温度に加熱するステップと、を具えている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスのための装置及び方法に関する。一実施形態では、ＣＶＤ反応装置は、蓋サポート上に互いに連続して直線的に配置された、反応装置本体の上に配置され、第１のシャワーヘッドアセンブリを含む反応装置の蓋アセンブリと、アイソレータアセンブリと、第２のシャワーヘッドアセンブリと、排気アセンブリと、を有している。ＣＶＤ反応装置は、更に、反応装置本体の両端部に配置した第１及び第２のフェースプレートを含み、第１のシャワーヘッドアセンブリが第１のフェースプレートとアイソレータアセンブリとの間に配置され、排気アセンブリが第２のシャワーヘッドアセンブリと第２のフェースプレートとの間に配置されている。反応装置本体は、ウエハキャリアトラック上のウエハキャリアと、ウエハキャリアトラックの下に配置され、ウエハキャリアに配置されたウエハを加熱するために利用することができる、複数のランプを含むランプアセンブリと、を有している。
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本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス用装置に関する。一の実施例では、シャワーヘッドアセンブリが提供されており、このアセンブリは、本体を具え、本体が本体の上側及び下部を通って延在し、本体の中心軸に平行に延在する中央チャネルを有する。このシャワーヘッドアセンブリは、第１の複数の孔を有し、中央チャネル内に配置した選択的な拡散プレートと、第２の複数の孔を有し、中央チャネル内の拡散プレートの下に配置した上側チューブプレートと、第３の複数の孔を有し、中央チャネル内の上側チューブプレートの下に配置した下側チューブプレートと、上側チューブプレートから下側チューブプレートへ延在する複数のチューブを具える。各チューブは、上側及び下部の個々の孔に連結されて流体連通している。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）膜、およびそのような膜の製造方法に関する。実施形態は、数多くのエピタキシャル成長基板または面がタイル状に配列された共通の支持基板上に、複数のＥＬＯ膜またはスタックを同時かつ別個に成長させる方法を提供する。その後、ＥＬＯ膜は、ＥＬＯプロセス中にエッチングステップによってエピタキシャル成長基板から取り除かれる。支持基板上に配置されたエピタキシャル成長基板を含むタイル状成長基板は、ＥＬＯ膜をさらに成長させるために再使用することができる。一実施形態では、支持基板上に離して配置された２またはそれ以上のガリウムヒ素成長基板を含むタイル状成長基板が提供され、支持基板が、約５×１０−^６℃−^１から約９×１０−^６℃−^１までの範囲内の熱膨張係数を有する。 （もっと読む）