ＨＥＭＴ装置及びＨＥＭＴ装置の製造方法であって、ＨＥＭＴ装置は、基板（１２）上のバッファ層（１４）と、バッファ層（１４）上の半導体層と、半導体層上の絶縁層（１６，１７）と、半導体層に接触するソース電極（２２）及びドレイン電極（２３）と、ソース電極（２２）とドレイン電極（２３）との間のゲート電極（２４，１０４，１１４）と、を備え、ゲート電極（２４，１０４，１１４）の下の半導体層に配置されたチャネルをピンチオフ状態にしている。 （もっと読む）