中性子を検出するためのマイクロチャネルプレートは、基板の頂面から基板の底面まで延在する複数のチャネルを画定する、水素に富むポリマー基板を含み、中性子は、複数のチャネルと相互作用して、少なくとも１つの二次電子を生成する。頂部電極は、基板の頂面上に位置付けられ、底部電極は、基板の底面上に位置付けられる。抵抗層は、実質的に一定の抵抗率でオーミック伝導を提供する、複数のチャネルの外面上に形成される。放出層は、抵抗層上に形成される。中性子相互作用生成物は、基板により画定される複数のチャネルおよび放出膜と相互作用し、複数のチャネル内でカスケード増幅して中性子の検出に関連した増幅信号を提供する二次電子を生成する。
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マイクロチャネルプレートは、基板の頂面から基板の底面まで延在する複数のチャネルを画定する、水素に富むポリマー基板を含み、中性子は、複数のチャネルと相互作用して、少なくとも１つの二次電子を生成する。抵抗層は、実質的に一定の抵抗率でオーミック伝導を提供する、複数のチャネルの外面上に形成される。放出層は、抵抗層上に形成される。中性子相互作用生成物は、基板により画定される複数のチャネルおよび放出膜と相互作用し、複数のチャネル内でカスケード増幅して中性子の検出に関連した増幅信号を提供する二次電子を生成する。
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