三次元放射線イメージング用交錯多開口コリメータが開示される。このコリメータは、二次元格子状に配設された複数の開口を含むコリメータ本体を備える。コリメータ本体は、放射線源から放射される放射線ビームをコリメータの視野内で吸収及び平行化するように構成されている。コリメータ本体は、放射線源に最も近接して配設された表面を有する。二次元格子は、少なくとも第一及び第二の開口群に選択的に分割されており、これらの開口群は、イメージング対象の少なくとも第一の視界及び第二の視界をそれぞれ規定する。第一の開口群は、格子の複数の横列を交互に又は一つおきに配置することによって形成され、また、第二の開口群は、第一の群の横列に隣接する複数の横列の開口によって形成されている。第一の群の各開口は、コリメータ本体の表面に対して第一の方位角で配置されるとともに、第二の群の各開口は、第一の群の開口が第二の群の開口と交錯するように、コリメータ本体の前記表面に対して第二の方位角で配置されている。
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ベース接点を横切って分散されている複数の構造化ピラーを備えた電極及びその製造方法が記載される。１つの実施形態において、この構造化ピラーは円形断面を有する円柱状構造であって、このベース表面にわたって等間隔の二次元アレイとして分散している。構造化ピラーの高さ、直径、及び間隔は好ましくはナノメートルスケールであり、それゆえに、ピラーを備えた電極はナノ構造化ピラー電極と同定される。ナノ構造化ピラーは、例えば、標準的なリソグラフィプロセスを用いた界面鋳型内への成膜又は界面鋳型を介したエッチングによって形成されてもよい。構造化ピラー電極は、光起電力電池などの光電子デバイスに組み込むと、多くの利点を提供する。これらの利点には、例えば、キャリア輸送距離の短縮を介する電荷収集効率の改善や、電極−光活性層界面の表面積の増加などが含まれる。これらの改善は、光起電力デバイスの電力変換効率の増加に寄与する。
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連続的且つコンフォーマルな、準単層から多層の厚さを有する薄膜を、原子レベルで制御しつつ成膜する方法が記載されている。前記プロセスには、第１の成分のアンダーポテンシャル析出を利用して、オーバーポテンシャル析出による第２の材料の成長を媒介することが含まれる。媒介成分の完全な単層が形成する、前記媒介成分のバルク析出電位に対して正の電位と、前記成膜材料のバルク析出電位よりも卑な、又は僅かに貴な電位との間で成膜が起こる。媒介成分のバルク析出電位と成膜材料のバルク析出電位との間で印加電圧をサイクルさせることによって、各電位サイクルの間の媒介成分の脱離／吸着の反復が、膜成長を逐次積層ベースで正確に制御するために使用できる。このプロセスは、燃料電池等のエネルギー変換装置における使用のためのコア−シェル粒子上に触媒活性層を形成するのに特に好適である。
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