バッテリ特性を十分に活用し、効果的に充電、放電及び休止動作をスケジューリングすることにより、バッテリパックの動作時間と耐用期間を延ばすこと。バッテリ動作をスケジューリングするシステム及び方法が提供される。本構成は、負荷需要と個々のバッテリセルの状態に対し、バッテリ動作を動的に適合させ、それによりバッテリパックの動作時間を延ばし、異常な電圧不平衡に対してロバストなものとする。スケジューリングの構成は、２つの構成要素を含んでいる。適応フィルタは、将来の負荷需要を推定する。推定された負荷需要に基づき、スケジューラは、放電する並列接続されたセルを決定する。また、スケジューラは、パック中のバッテリセルを効果的に分類し、再構成可能なバッテリ回路と連携して、バッテリセルの充電と放電とが同時に行えるようにする。
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本願はクロスバーメモリアレイを記載する。メモリアレイは、第１の材料からなる並列ナノワイヤの第１のアレイ、および第２の材料からなる並列ナノワイヤの第２のアレイを含む。第１のアレイおよび第２のアレイは互いにある角度で方向付けられる。アレイは、さらに、第１の材料からなるナノワイヤと第２の材料からなるナノワイヤとの間において２つのアレイの各交差部に配置される非結晶質シリコンからなる複数のナノ構造を含む。ナノ構造は第１の材料からなるナノワイヤおよび第２の材料からなるナノワイヤとともに抵抗メモリセルを形成する。
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不揮発固体抵抗素子は、第１電極、ｐ型ポリシリコン第２電極、およびそれらの電極間で電気的に接続された非結晶質シリコンナノ構造を含んでいる。ナノ構造は、電極を介してそのナノ構造に印加される電圧に応答して調整可能な抵抗を有する。ナノ構造は、電極間に配置された絶縁層内に埋め込まれたナノピラーとして形成され得る。第１電極は、銀または他の導電性の金属電極であり得る。第３（金属）電極が、他の回路への２つの金属電極の接続を可能にするように、ナノ構造に近接する位置においてｐ型ポリシリコン第２電極へ接続され得る。抵抗素子は、２以上の値の間で抵抗を変化させることによってデジタルデータの１ビット以上をストアするように、デジタル不揮発メモリ装置の単位メモリセルとして使用され得る。
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圧電型ＭＥＭＳマイクロフォンは、２つの電極層の間に少なくとも１つの圧電層を含む多層センサを備え、センサは、入力圧力、バンド幅、ならびに、圧電材料および電極材料の特性を保障する最適パラメータによって決定されるものとして、センサ面積に対する最大比率に近い出力エネルギを供給するような寸法を有する。センサは、小さな隙間によって互いに分離された、単一のまたは積層された片持ち梁から形成され、または、シリコン基板上への堆積によって形成された応力解放型振動板（stress-relieved diaphragm）であり得、振動板は、基板からの振動板の実質的な分離により応力が解放され、そして、引き続いて、応力が解放された今の振動板の再取り付けが行なわれる。
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