半導体発光素子を製造する際に、サファイア基板から分離されるグループ３−５族窒化物系半導体からなる多層発光構造体薄膜の損傷を最小化し、その結果、半導体発光素子の全体的な性能を向上させることができる垂直構造半導体発光素子製造用支持基板及びこれを用いた垂直構造半導体発光素子を提供する。本発明による垂直構造半導体発光素子製造用支持基板は、グループ３−５族窒化物系半導体からなる多層発光構造体薄膜が積層される、サファイア基板との熱膨脹係数の差が５ｐｐｍ以下の物質からなる選択支持基板と、上記選択支持基板上に形成される犠牲層と、上記犠牲層の上部に形成される金属厚膜と、上記金属厚膜の上部に形成され、ソルダリングまたはブレイジング合金物質からなるボンディング層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）