本発明は、音響波デバイスの分野に係わり、特に数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高い周波数での作業が可能なトランスデューサの分野、とりわけ、少なくとも２基板と強誘電体層２とを含む界面音響波デバイス１に関するものである。強誘電体層は、第１電極３と第２電極４との間に配置され、かつ第１正偏向分域７と第２負偏向分域８とを含み、該第１と第２の分域は交互に配置されている。該音響波デバイスは、第１電極３と、強誘電体層２と、第２電極４とから成る集成体が、第１基板５と第２基板６との間に設けられていることを特徴とする。
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