【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 （もっと読む）

本発明は、特に干渉回路（１５）を使用するヘテロダインサーボ回路により無線周波数を制御するレーザー放射デバイス（１）が設けられたレーザーシステムに関する。前記干渉回路は、前記レーザー放射光の周波数を訂正するための基準を提供する光ファイバー（１７）のコイルを備える。スペクトル純度のフィールドにおいて良好な結果を得るために、レーザー放射に関与する要素のすべてはファイバーであり、それらの接続部は光ファイバーによって提供されている。本発明は、高いスペクトル純度を必要とするレーザーに対して使用できる。
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本発明は、音響波デバイスの分野に係わり、特に数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高い周波数での作業が可能なトランスデューサの分野、とりわけ、少なくとも２基板と強誘電体層２とを含む界面音響波デバイス１に関するものである。強誘電体層は、第１電極３と第２電極４との間に配置され、かつ第１正偏向分域７と第２負偏向分域８とを含み、該第１と第２の分域は交互に配置されている。該音響波デバイスは、第１電極３と、強誘電体層２と、第２電極４とから成る集成体が、第１基板５と第２基板６との間に設けられていることを特徴とする。
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【課題】少ない電力消費で磁気抵抗素子を動作させる方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子（２１）は、磁気異方性を示しかつその磁化を少なくとも第１と第２の配向の間に切り換えることができる強磁性領域（２２）とこの強磁性領域（２２）に容量的に結合するゲート（２３）とを含む。この方法は、電界パルス（２９）を強磁性領域（２２）に与えることにより、磁気異方性の配向を変えて磁化を第１と第２の配向の間に切り換えることを含む。 （もっと読む）

本発明は、β−ＳｉＣ多孔質基板上に、ナノファイバまたはナノチューブを含む複合材の製造方法において、（ａ）前記β−ＳｉＣ多孔質基板の中またはＳｉＣ前駆体の中に、ナノチューブまたはナノファイバの成長触媒を取込む過程と、（ｂ）少なくとも一つの炭化水素および水素を含む混合物からカーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバを成長させる過程と、（ｃ）任意には、前記カーボン製ナノチューブまたはカーボン製ナノファイバをＳｉＣナノファイバへと変換する過程とを含む方法に関する。この複合製品は、触媒または触媒担体として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。
【解決手段】磁気メモリ素子は、絶縁トランジスタ（８１）を介してビット線（３１）をセンス線（４９）に接続する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（３７）を備える。ＭＴＪ（３７）は磁化困難軸を有する強磁性層を含む。支援電流線（３３）がビット線（３１）の上にあり、ビット線（３１）から絶縁される。ＭＴＪ（３７）は第１の比較的高い抵抗状態と第２の比較的低い抵抗状態との間に切り換えることができる。ＭＴＪ（３７）の中を流れる電流とは無関係に支援電流線（３３）に電流を流すと、強磁性層内の磁化困難軸に沿う磁界を与えて、ＭＴＪ（３７）を第１の状態と第２の状態との間に切り換えるのを支援し、切換え電流を減らすことができる。 （もっと読む）

本発明は、ガス状流出物を処理する方法で、その方法により、前記流出物が付加的紫外（ＵＶ）輻射線の下でコールドプラズマと光触媒の作用の同時処理にかけられる処理方法及びそのような方法を実施するための装置に関する。
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本発明は新規の銅（Ｉ）または銀（Ｉ）錯体、及び不純物をほとんど含まない金属銅または銀の気相化学蒸着（gas-phase chemical deposition）のためのこれらの使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、アドヘジンであるＭＩＣ１とＭＩＣ３が不活性化された、アピコンプレックスの住肉胞子虫科の弱毒突然変異株、およびそれらのワクチンへの使用に関するものである。 （もっと読む）