一実施形態は、材料蒸着のための装置を提供する。装置は、反応チャンバと、一対のサセプタとを含む。各サセプタは、基材を載置する前側と背側とを有する。垂直に位置付けられるサセプタの前側は、相互に対面し、サセプタの垂直縁部は、相互と接触している。また、装置は、反応ガスを注入するためのいくつかのガスノズルも含む。チャンバの内部のガス流方向は、ガスノズルを制御することによって交互にすることができる。ガスノズルは、ガスノズルが反応ガスを注入していない時に、ＨＣｌ、ＳｉＣｌ_４、およびＨ_２のうちの少なくとも１つを含む少量のパージガスを注入するように構成される。装置は、反応チャンバの外部に位置するいくつかの加熱ユニットを含む。加熱ユニットは、それらが熱エネルギーをサセプタの背側に直接放射するように配設される。
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本発明の一実施形態は、太陽電池を製造するための方法を提供する。本方法は、冶金級（ＭＧ）Ｓｉ原料を溶融するステップと、単結晶Ｓｉシードを降下させ、溶融ＭＧ−Ｓｉの表面に接触させるステップと、溶融ＭＧ−Ｓｉの単結晶Ｓｉインゴットをゆっくりと取り出すステップと、Ｓｉインゴットを単結晶Ｓｉウエハに加工処理し、その後のエピタキシャル成長のために、ＭＧ−Ｓｉ基板を形成するステップと、ＭＧ−Ｓｉ基板内の残留金属不純物を浸出させるステップと、ホウ素でドープされた単結晶Ｓｉ薄膜の層をＭＧ−Ｓｉ基板上にエピタキシャルに成長させるステップと、リンを単結晶Ｓｉ薄膜にドープし、エミッタ層を形成するステップと、反射防止層を単結晶Ｓｉ薄膜の上部に堆積させるステップと、表裏電気接点を形成するステップとを含む。
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