本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板の１つの領域において、少なくとも１つのプロセス性能パラメータが決定される１つのプロセスステップまたは一連のプロセスステップに、半導体基板を暴露するステップと、レーザ照射パラメータを有するレーザをその領域に照射するステップとを含む半導体デバイスを製造する方法であって、照射パラメータは少なくとも１つのプロセス性能パラメータに基づいて決定されることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料を照射する方法に関し、半導体材料層表面の領域（ａ）を選択するステップであって、当該領域（ａ）が領域サイズを有するステップと、ビームスポットサイズ（ｂ）を有するエキシマレーザで半導体材料層表面の領域（ａ）を照射するステップと、ビームスポットサイズ（ｂ）を調整するステップとを具え、ビームスポットサイズ（ｂ）を調整するステップがビームスポットサイズ（ｂ）を選択領域サイズ（ａ）に一致させるステップを含む。さらに本発明は、半導体材料を照射する装置に関し、半導体層表面の選択領域（ａ）を照射するエキシマレーザであって、選択領域（ａ）が有する領域サイズに一致させるレーザビームスポットサイズ（ｂ）を有するエキシマレーザと、レーザビームスポットサイズを調整する手段とを具え、レーザビームスポットサイズ（ｂ）を調整する手段がレーザビームスポットサイズ（ｂ）を選択領域サイズ（ａ）に可変的に一致させるよう適合されている。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための方法に関し：半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップと；照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップと；を具え、本方法は更に、融解した領域部分の深度を定量するステップを具える点で特徴づけられている。更に、本発明は半導体材料を照射するための装置に関し：半導体材料層の表面領域を、領域の少なくとも一部を融解するように照射するための第１のレーザーであって、当該レーザーがレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーと；レーザー照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するためのコントローラと；を具え、本装置は更に、融解した領域部分の深度を定量する手段を具える点で特徴づけられている。 （もっと読む）