ＳｉＧｅまたはＧａＡｓに実質的に格子整合した別のゲルマニウム材料の１つ以上のエピタキシャル成長層を組み込んだ、太陽電池のような光電池を開示する。層を成長させるために使用されたＧａＡｓ基板は、前記ＧａＡｓとゲルマニウム材料との間の境界をエッチストップとして使用するステップを含む方法によって除去することができる。 （もっと読む）

ＧａＡｓ、またはＳｉＧｅのようなゲルマニウム材料のいずれかの層を形成する方法を開示する。例えばゲルマニウム材料は、ＧａＡｓ面上にエピタキシャル成長することができる。ゲルマニウム材料を一部の残留ＧａＡｓと共にレシーバ基板に転写するために、層転写が使用される。次いで残留ＧａＡｓは、ＧａＡｓとゲルマニウム材料との間の境界がエッチストップとなり、選択的エッチングによって除去することができる。 （もっと読む）