高速の原子層エッチング（ALET）を行うシステムおよび方法であり、パルスプラズマ源と、反応チャンバを有している。プラズマ源は、螺旋状コイル電極と、冷却されるファラデーシールドと、管の上部に配置されたカウンタ電極と、ガス注入口とを有し、反応チャンバは基板サポートと境界電極を有する。この方法は、プラズマエッチングチャンバの中にエッチング可能な基板を設置する段階と、基板の表面上に生成層を形成する段階と、プラズマ源をパルス駆動することによって生成層の一部を除去する段階と、その後、生成層を形成する段階と生成層の一部を除去する段階とを繰り返してエッチングされた基板を形成する段階を有する。
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基板と、この基板の上に重なるバッファ層と、このバッファ層の上に重なる高温超伝導（HTS）層からなる超伝導部材である。HTS層は複数のナノロッドを含む。基板テープを提供する段階と、この基板テープの上に重なるバッファ層を蒸着する段階と、前記バッファ層の上に重なるドットアレイを形成する段階と、前記ナノドットアレイの上にそれを核とするナノロッドのアレイを蒸着する段階と、前記ナノロッドのアレイの周りに、バッファ層の上に重なる高温超伝導（HTS）層を蒸着する段階からなる超伝導部材を形成する方法である。
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