１実施形態で、部分であって、この部分の少なくとも一部が、ベース層であって、このベース層がケイ化物形成性金属元素を含有する第１の組成を有している、前記ベース層；及びケイ化物コーティング層であって、このケイ化物コーティング層が６００℃以上の第１の温度及び十分に低い圧力で、十分な量の前記ケイ化物形成性金属元素を有している前記ベース層を十分な量のシリコン元素を有している十分な量のシリコン源ガスに曝す工程であって、このシリコン源ガスが１０００℃以下の第２の温度で分解して十分な量のシリコン元素を生成することができる、前記曝す工程；前記十分な量のケイ化物形成性金属元素とこの十分な量のシリコン元素を反応させて、ケイ化物コーティング層を形成させる工程；によって形成されたものである、前記ケイ化物コーティング層；を包含している部分を包含する反応器が提供される。 （もっと読む）

１つの実施形態では、本発明の方法は、少なくとも１種のシリコン源ガス及びポリシリコンシリコンシードを反応区域に供給するステップ；反応区域内で、少なくとも１種のシリコン源ガスの熱分解の反応平衡に実質的に到達して元素シリコンが生成するように少なくとも１種のシリコン源ガスをその反応区域内で十分な温度と滞留時間に維持するステップ（その少なくとも１種のシリコン源ガスの分解は、以下の化学反応：４ＨＳｉＣｌ_３←→Ｓｉ＋３ＳｉＣｌ_４＋２Ｈ_２で進行するものであり、十分な温度は、約６００℃〜約１０００℃の温度範囲である）；及びｃ）ポリシリコンシリコンシードに元素シリコンが蒸着されて被覆粒子が生成するようにその反応区域中に十分な量のポリシリコンシリコンシードを維持するステップ；を包含している。 （もっと読む）