【課題】 汚染物質に対する表面電界領域の露出を最少にし、キャップ領域に対する金属の位置合せを確実にして上部のメタライズされたコンタクト領域により遮られる入射光を最少にするように、太陽電池及び光検出器などの半導体光検出デバイスを作成する方法、並びにその方法によって作成される製品を提供すること。
【解決手段】 キャップエッチングステップ及び反射防止コーティングステップが単一の自己整合リソグラフィモジュールにおいて実施される、半導体光検出デバイス製造技術が提供される。 （もっと読む）

ＩＩＩ‐Ｖ半導体材料のエピタキシャル成長用のｎ型基板を使用する“ｎオンｐ”型多接合太陽電池構造であって、基板と、ＩＩＩ‐Ｖ半導体材料の１つまたは複数のヘテロエピタキシャル層との間に“ｐオンｎ”トンネル接合ダイオードが配置されたものを開示する。 （もっと読む）

ヒ化エルビウム（ＥｒＡｓ）などの希土類Ｖ族中間層を設けて、中間ギャップ状態を伴うトンネルダイオード構造を生み出すことにより、トンネル接合を改善する。このようなトンネル接合は、ＩＩＩ−Ｖ族多接合太陽電池に希薄窒化物材料を組み入れるのに必要な範囲の熱エネルギー条件（時間／温度）に耐え抜く。 （もっと読む）