説明

ルセム シーオー. リミテッドにより出願された特許

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【課題】絶縁フィルム、金属パターン、表面絶縁層、半導体チップを備えるCOF型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】金属パターンは、半導体チップ200と電気的に連結された回路パターン120、及び回路パターン120に対して電気的に絶縁された孤立パターン130から構成される。絶縁フィルム140に、孤立パターン130の一部を絶縁フィルム140の下面に露出させる放熱孔150が形成される。回路パターン120のうち一部は絶縁フィルム140上に延設されて、残りの回路パターン120に比べてその表面積が広くなるように構成された延長パターン125として構成される。半導体チップ200から発生した熱がその下部の孤立パターン130を介して基板の背面に放出されるので、孤立パターン130が放熱パッドとして機能する。 (もっと読む)


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