【課題】外部の干渉場を効果的に遮蔽し、簡単な方法で取り付けることができる電流センサを開発する。
【解決手段】プリント回路基板２、磁界センサ３および強磁性構成部品４を備える。強磁性構成部品４は、その前面１０が向かい合って配置され、空隙で隔てられている２つの舌状部９Ａ、９Ｂを有し、少なくとも２つの足部８をさらに有し、舌状部９Ａ、９Ｂおよび／または足部８は曲げられている。電線１は、強磁性構成部品４によって囲まれた開口部１３を通って案内可能である。強磁性構成部品４および磁界センサ３は、プリント回路基板２の表面５上に取り付けられている。磁界センサ３は、プリント回路基板２の表面５に平行に延在する磁界を感知する。強磁性構成部品４の舌状部９Ａ、９Ｂは、プリント回路基板２の表面５に平行に延在する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体チップ（１）内に集積化される垂直ホールセンサおよびそれの製造のための方法に関する。
【解決手段】 垂直ホールセンサは、第２の導電型の導電性領域（３）内に埋め込まれる、第１の導電型の導電性ウェル（２）を有する。電気的接点（４）が、導電性ウェル（２）の平坦面（５）上で直線（６）に沿って配置される。導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサにおいて、単純な方法で感度変動を保証する。
【解決手段】半導体チップ２の動作面３に４つの集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４を一体化して配置し、該集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４によりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗Ｒ_１及びＲ_４はｐ型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗Ｒ_２及びＲ_３はｎ型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。 （もっと読む）