本発明は、サファイア単結晶成長方法とその装置に関し、より詳細には矩形の長い坩堝を使って、ｃ−軸方向に長い種晶を使うに当たり、短い時間内に高品質の長い単結晶を獲得できるサファイア単結晶成長方法とその装置に関する。本発明に係るサファイア単結晶成長方法及びその装置を利用すると、矩形の坩堝を利用しても坩堝内部の水平方向の温度を均一に維持できて、高品質の単結晶を獲得できるだけでなく、単結晶成長において失敗率を低くする効果がある。
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