【課題】ＣＺＴＳ吸収層を含む光電池装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光電池装置２００は、基板、下部電極２２０、下部電極２２０上に形成された吸収層２３０、吸収層２３０上に形成された緩衝層２４０及び緩衝層２４０上に形成された上部電極層２５０を含む。吸収層２３０は、下部電極２２０に隣接する第１の領域２３１と第１の領域２３１に隣接する第２の領域２３２を含む。第１及び第２の両方の領域２３１、２３２は、式Ｃｕ_ａ（Ｚｎ_１−ｂＳｎ_ｂ）（Ｓｅ_１−ｃＳ_ｃ）_２（ここで０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、０≦ｃ≦１）を含み、及び第１の領域２３１のＺｎ／Ｓｎ比は第２の領域２３２の前記比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 カルコゲニド半導体膜を調製するためのインク組成物及びそれを調製するための方法が開示される。
【解決手段】 前記インク組成物は、溶媒、複数のカルコゲニドナノ粒子及と、金属イオン及び金属錯体イオンを含む群から選択される少なくとも１つを含む。前記金属イオン及び／又は金属錯体イオンは、前記金属カルコゲニドナノ粒子の表面上に分布され、前記溶媒中に前記金属カルコゲニドナノ粒子を分散させるために適合されている。前記金属カルコゲニドナノ粒子、前記金属イオン及び前記金属錯体イオンの金属は、周期律表の第Ｉ族、第ＩＩ族、第ＩＩＩ族及び第ＩＶ族元素から選択され、カルコゲニド半導体材料の全ての金属元素を含む。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド半導体膜を形成する方法及びカルコゲナイド半導体膜を用いる光起電力装置を提供する。
【解決手段】基板上に層を形成するように前駆体溶液をコーティングするステップと、カルコゲナイド半導体膜を形成するようにその層をアニールするステップとを有する。前駆体溶液は、溶剤と、金属カルコゲナイド微粒子１１０と、前記金属カルコゲナイド微粒子の表面に分散される金属イオン及び金属錯体イオン１２０の少なくとも１つとを有する。金属カルコゲナイド微粒子、金属イオン及び金属錯体イオンの金属は、周期律表のＩ属、ＩＩ属、ＩＩＩ属及びＩＶ属を有する群から選択され、カルコゲナイド半導体材料のすべての金属元素１４０を有する。 （もっと読む）

【課題】
電極テープ、太陽電池モジュール及びそれらを製造するための方法が開示される。
【解決手段】
前記電極テープは、接着性フィルムと導電構造を含む。接着性フィルムは、第１の接着性表面及び前記第１の接着性表面の方向と反対側に面する第２の接着性表面を含む。前記導電構造は、前記接着性フィルム内に埋め込まれ、前記第１の接着性表面上に設けられる第１の接触点と、前記第２の接着性表面上に設けられる第２の接触点を持つ。前記太陽電池モジュールは、第１の太陽電池及び第２の太陽電池を含み、これらが前記電極テープを介してお互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】
電極テープを製造するための装置が開示される。
【解決手段】
電極テープの製造のための装置は、コンベア、導電構造コイル、接着剤供給ユニット及び硬化ユニットを含む。前記コンベアは、成形ベルトとローラーを含み、ローラーは前記成形ベルトを駆動するように構成される。前記成形ベルトは少なくとも１つの溝を含む。前記導電構造コイルは、前記成形ベルトの少なくとも１つの溝へ導電構造を与えるように構成される。前記接着剤供給ユニットは、接着剤を前記成形ベルトの表面に接着剤を供給するように構成される。前記硬化ユニットは前記成形ベルトの表面に供給された接着剤を硬化させフィルムにするように構成される。 （もっと読む）