體學生物科技股▲ふん▼有限公司により出願された特許
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分子検出および識別に応用する多接合フォトダイオード、およびその製造方法
【課題】分子検出および識別に応用する多接合フォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多接合フォトダイオードは、第1導電型ドーパントを有する基板と、第1導電型ドーパントを有するエピタキシー層と、第2導電型ドーパントを有する深ウェル領域と、第1導電型ドーパントを有する第1ウェル領域と、第2導電型ドーパントを有する第2ウェル領域と、第1導電型ドーパントを有する第3ウェル領域と、第2導電型ドーパントを有する第1ドープ領域とを含む半導体装置を提供する。エピタキシー層は、基板の上に配置され、深ウェル領域は、エピタキシー層の中に配置される。第1ウェル領域は、エピタキシー層に接続された3つの側辺を有し、深ウェル領域の中に配置される。第2ウェル領域は、第1ウェル領域の中に配置される。第3ウェル領域は、エピタキシー層に接続された3つの側辺を有し、第2ウェル領域の中に配置される。第1ドープ領域は、第3ウェル領域の中に配置される。
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