【課題】半導体基板上に第１エピタキシャル層を形成し且つ該層をエッチングして複数の分離領域を形成することを包含する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、エッチングした第１エピタキシャル層１０６ａ上に第２エピタキシャル層１０６ｂを形成することを含む。１０６ａ，ｂ層は少なくとも１個のIII族窒化物を含み、１０６ａ，ｂ層は一緒になって１個のバッファ１０６を形成する。本方法は、更に、該バッファ上に装置層１０８を形成し、且つ該装置層を使用して半導体装置を製造することを包含している。１０６ｂ層は、実質的に１０６ａ領域上にのみ存在する１０６ｂ領域を包含することが可能である。１０６ｂ層は、又、１０６ａ領域及び該基板を被覆することが可能であり、且つ１０６ｂ層はエッチングするか又はしない場合がある。該装置層は１０６ｂ層を形成するために使用するのと同じ操作期間中に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 改良したＬＥＤ駆動技術を提供する。
【解決手段】 本方法は、負荷と関連する制御信号を受け取ることを包含しており、該制御信号はスイッチングモード電源の観点から負荷変化を発生させるべきものである。本方法は、更に、該制御信号に応答して、該電源のインダクタを介しての電流を該電源をして調節させることを包含している。本方法は、更に、該負荷変化の時間を遅延させるために該制御信号の送給を遅延させることを包含しており、該インダクタを介しての該電流は該遅延期間中に増加する。該制御信号は、１個又はそれ以上のＬＥＤをターンオンさせるための要求を包含することが可能である。該負荷は電流調整器を包含することが可能である。本方法は、更に、該インダクタを介しての該電流が特定したレベルに到達するなどのように該遅延の後に該電流調整器へ該要求を供給することを包含することが可能である。該電源の出力に結合されているコンデンサにおける電圧スパイク及び可聴的ノイズを最小とさせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】改善したスイッチングレギュレータ技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は一定オン時間又は一定オフ時間スイッチを制御して出力電圧を発生しており、スイッチと、出力コンデンサとを包含している。本方法は、検知コンデンサを介して流れる第１電流を検知しており、該第１電流は該出力コンデンサを介して流れる第２電流に比例している。本方法は、更に、該検知した第１電流に基いて該スイッチを制御することを包含しており、該検知した第１電流を使用してフィードバック電圧を発生し、該フィードバック電圧と出力電圧とを結合して結合電圧を発生し、該結合電圧のスケーリングした電圧を基準電圧と比較し、且つ該比較に基いてワンショットタイマーをトリガーすることを包含している。該出力コンデンサの容量はＮの係数だけ該検知コンデンサの容量よりも一層大きいこととし、且つＮに基く該フィードバック電圧を発生することが可能である。 （もっと読む）

【課題】より低いブレークダウン電圧プロセスを適切に使用することが可能なオーディオ増幅回路を提供する。
【解決手段】正の電源電圧ＶＤＤ及び負の電源電圧ＶＳＳで動作するオーディオアンプについて、供給されるＶＤＤから反転型ＤＣ−ＤＣコンバータを介して大きさがＶＤＤより小さく負の値であるＶＳＳを生成し該オーディオアンプに供給しようとするもので、反転型ＤＣ−ＤＣコンバータとしては好ましくはチャージポンプ構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電気的パワーシステムに使用する光起電力アレイが複数の光起電力モジュール（１０５ａ−１０５ｄ、１０５）及び該光起電力モジュールの内の少なくとも一つに結合されている電圧変換器（１２５）を包含している。
【解決手段】 該光起電力アレイは、又、過剰電圧保護回路（１３０，４００，５００）を包含している。該過剰電圧保護回路は、該電圧変換器の出力に結合すべく適合されているインターフェースを包含している。該過剰電圧保護回路は、又、該電圧変換器の出力電圧における電圧スパイクを検知する形態とされているスパイク検知器を包含している。該過剰電圧保護回路は、更に、該スパイク検知器から受け取られる過剰電圧信号に応答して該電圧変換器の出力電圧スルーレートを調整する形態とされている電圧制御モジュールを包含している。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池パワーシステムに使用するソラーパネルアレイが提供される。
【解決手段】 ソラーパネルアレイは、複数のソラーパネル（２０５ａ−２０５ｄ、２０５）からなるストリング、及び複数の電圧変換器（２２５）を包含している。各電圧変換器は該複数のソラーパネルからなるストリングにおける対応するソラーパネルに結合されている。該ソラーパネルアレイは、又、複数の最大パワーポイントトラッキング（ＭＰＰＴ）制御器（２３０）を包含している。各ＭＰＰＴ制御器は該複数のソラーパネルからなるストリング内の対応するソラーパネルに結合されている。各ＭＰＰＴ制御器は、該対応するソラーパネルとインバータ（２３５）との間の瞬間的なパワー不均衡を検知する形態とされている。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造プラットフォームのコアとして作用する半導体構成体が、所望の電子的特性を達成するために、電子要素、特に絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（「ＩＧＦＥＴ」）、によって種々に使用される空のウエル領域及び充填したウエル領域の結合を有している。
【解決手段】 比較的少量の半導体ウエルドーパントが空のウエルの上部近くにある。かなりの量の半導体ウエルドーパントが充填したウエルの上部近くにある。幾つかのＩＧＦＥＴ（１００，１０２，１１２，１１４，１２４，１２６）は所望のトランジスタ特性を達成する上で空のウエル（１８０，１８２，１９２，１９４，２０４，２０６）を使用する。その他のＩＧＦＥＴ（１０８，１１０，１１６，１１８，１２０，１２２）は所望のトランジスタ特性を達成する上で充填したウエル（１８８，１９０，１９６、１９８，２００，２０２）を使用する。空のウエルと充填したウエルとの結合は、半導体製造プラットフォームが広範で多様な高性能ＩＧＦＥＴを提供することを可能としており、それから回路設計者は混合信号適用例を含む種々のアナログ及びデジタル適用例に対して特定のＩＧＦＥＴを選択することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 混合信号適用例を含むアナログ及びデジタル適用例用のＩＧＦＥＴを与える半導体製造プラットフォームに適した対称的及び非対称的の両方の絶縁ゲート電界効果トランジスタ（「ＩＧＦＥＴ」）が、高性能を達成する上で空のウエル領域を使用する。
【解決手段】 各空のウエルの上部近くにおいては半導体ウエルドーパントが比較的少量である。各ＩＧＦＥＴ（１００，１０２，１１２，１１４，１２４又は２３６）は、空のウエル（１８０，１８２，１９２，１９４，２０４又は２０６）のボディ物質のチャンネルゾーンによって横方向に分離された一対のソース／ドレインゾーンを有している。ゲート電極が該チャンネルゾーン上方でゲート誘電体層の上側に位置している。各ソース／ドレインゾーン（２４０，２４２，２８０，２８２，５２０，５２２，５５０，５５２，７２０．７２２、７５２又は７５２）が主要部分（２４０Ｍ，２４２Ｍ，２８０Ｍ，２８２Ｍ，５２０Ｍ，５２２Ｍ，５５０Ｍ，５５２Ｍ，７２０Ｍ，７２２Ｍ，７５２Ｍ又は７５２Ｍ）及び一層軽度にドープした横方向延長部（２４０Ｅ，２４２Ｅ，２８０Ｅ，２８２Ｅ，５２０Ｅ，５２２Ｅ，５５０Ｅ，５５２Ｅ，７２０Ｅ，７２２Ｅ，７５２Ｅ又は７５２Ｅ）を有している。代替的に又は付加的に、該ボディ物質の一層高度にドープしたポケット部分（２５０又は２９０）が該ソース／ドレインゾーンの内の一方に沿って延在する。存在する場合には、該ポケット部分は典型的に該ＩＧＦＥＴを非対称的装置とさせる。 （もっと読む）

【課題】 半導体構成体がバイポーラトランジスタ（１０１）及び間隔構成体（２６５−１又は２６５−２）を包含している。
【解決手段】 該トランジスタはエミッタ（２４１）、ベース（２４３）、コレクタ（２４５）を有している。該ベースはベースコンタクト部分（２４３−１）、該エミッタの下側で且つ該コレクタの物質上方に位置されているイントリンシックベース部分（２４３Ｉ−１）、該イントリンシックベース部分とベースコンタクト部分との間に延在しているベースリンク部分（２４３Ｌ−１）を包含している。該間隔構成体は、間隔コンポーネント及び上部半導体表面に沿って延在する分離用誘電体層（２６７−１又は２６７−２）を包含している。該間隔コンポーネントは、該ベースリンク部分の上方で該誘電体層上に位置されており、好適には多結晶半導体物質であるほぼ非単結晶の半導体物質の横方向間隔部分（２６９−１又は２６９−２）を包含している。該横方向間隔部分の両側の第１及び第２下部端部（３０５−１及び３０７−１）は該ベースリンク部分の両側の第１及び第２上部端部（２９７−１及び２９９−１）に対して横方向に適合し、その長さを決定し且つそれにより制御する。 （もっと読む）

【課題】 一群の高性能同極性絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１００，１０８，１１２，１１６，１２０及び１２４又は１０２，１１０，１１４、１１８，１１２及び１２６）が、アナログ及び／又はデジタル適用例用の広く多様なトランジスタを提供する半導体製造プラットフォームに適した横方向ソース／ドレイン延長部、ハローポケット、及びゲート誘電体厚さの選択可能な異なる構成を有している。
【解決手段】 各トランジスタは、一対のソース／ドレインゾーン、ゲート誘電体層、及びゲート電極を有している。各ソース／ドレインゾーンは主要部分及び一層軽度にドープした横方向延長部を有している。該トランジスタの内の一つのソース／ドレインゾーンの内の一つの横方向延長部が該トランジスタの別のもののソース／ドレインゾーンの内の一つの横方向延長部よりも一層高度にドープされており又は／及びそれよりも上部半導体表面下側により少ない深さに延在している。 （もっと読む）