【課題】減圧雰囲気下で基板を予備加熱する際に、予備加熱時間の短縮を可能にして省電力化及び置換ガスの費消の低減ができるインライン式プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】外部に基板トレー５の搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室２及び成膜室３がこの順に連設されて、基板トレー５に基板Ｗが収容されて、基板トレー５が予備加熱室２及び成膜室３へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマＣＶＤ装置１であって、予備加熱室２は、予備加熱室２の床面側に上下動可能に配設された第１の加熱ヒータＨ１と、予備加熱室２の外側にあって第１の加熱ヒータＨ１に連結されて加熱ヒータＨ１を基板トレー５に接触させると共に基板トレー５を昇降させる昇降機構Ｅ１と、この昇降機構Ｅ１を制御する制御手段Ｃとを有し、予備加熱室２は減圧装置Ｐ１に接続されている。 （もっと読む）