【課題】リードフレームにおける銀めっき層とモールド樹脂との密着性の向上を図る。信頼性の高い半導体層儀を「提供する。
【解決手段】リードフレーム２１は、半導体チップを固定するダイパット部２２と、インナーリード部２３と、アウターリード部２４とを有する。少なくともインナーリード部２３のワイヤボンディング部２３ａの表面に、銀の結晶核を析出する下地銀めっきと、本銀めっきの２段階銀めっきによる表面が粗面化された銀めっき層２８が形成されて成る。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを用いた半導体装置において、放熱性の向上を図る。
【解決手段】 混成集積回路の実装基板（２０）上に、半導体チップ（３０）を実装する半導体装置において、放熱材（４０）の下部の実装基板（２０）と半導体チップ（３０）の間に、放熱材（４０）を有することを特徴とし、実装基板（２０）には、内壁を金属膜（７０）で覆ったスルーホール（５０）が形成され、半導体チップ（３０）が発する熱は放熱材（４０）及び、スルーホール（５０）内壁の金属膜（７０）を介し、実装基板（２０）の裏面へ放熱される。各スルーホール（５０）には、熱伝導材（６０）が埋めこまれ、半導体チップ（３０）の熱を効率的に逃がすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】 ＳＩＰ（シングルインラインパッケージ）構造等の回路基板において、耐震性の向上、並びに小型化を図る。
【解決手段】 ＳＩＰ型の単位回路基板（１０）を、１個または複数個の導電性物質（５）にて、回路の機能を有するように電気的接続を施し、前記単位回路基板（１０）は対向させるように固定し、耐震性を向上させる構造を特徴とする。また熱伝導性に優れている物質を利用し、単位基板間を対向した接続方法を用いることにより、小型化においても放熱性向上が可能な半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】１つの樹脂封止金型から混成集積回路の実装形態、回路形態を、自由に選択、製造できることを特徴とする混成集積回路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明においては、複数の混成集積回路を有する基板をトランスファ成形法によって一度に樹脂封止し、その分割位置を任意に選択し、それに合わせた基板回路設計をすることで、１つの樹脂封止金型から混成集積回路の実装形態（ＳＩＰ型、ＤＩＰ型、ＳＭＤ型、ＺＩＰ型）、回路形態（同一の回路あるいは異なる回路の、一回路入りから複数回路入り）を、自由に選択できることを特徴とする混成集積回路およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、電流制限を行う為に半導体装置内にヒューズまたは、ヒューズの代替を組み込んだ際、樹脂にてコーティングを行うと過大電流が流入した際の熱により樹脂が炭化してしまい、樹脂の炭化部が回路的に接続状態となってしまう。また、ヒューズの代替としてボンディングワイヤを使用した場合、過大電流が流入した際の溶断時、樹脂内のボンディングワイヤ体積と樹脂内のボンディングワイヤ経路体積に変化が無い為溶断しない。
【解決手段】上記ヒューズまたは、ヒューズ代替部を炭素成分の含有量が少なく乾燥後ポーラス状態となるペースト材料にて覆うことにより過大電流が流入した際の熱による炭化防止及びヒューズ代替としてボンディングワイヤを使用した際の未溶断を熱硬化後のポーラス状態を利用して防止する。 （もっと読む）