説明

フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップにより出願された特許

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【目的】 低電源電圧で動作でき、かつ、PNPトランジスタの使用によって発生する制限を有さない高ダイナミックレンジの四象限乗算回路を提供する。
【構成】 四象限乗算回路は、第1入力ポート36に結合されたNPNトランジスタ20から23及び64から67から成るデュアル相互コンダクタンス増幅回路TACと、第1及び第2の二重ダーリントン回路57,58と、抵抗素子78とを具える。各ダーリントン回路57,58は、第1及び第2NPNトランジスタ68,70及び69,71と、第3PNPトランジスタ72,73とを具える。デュアル相互コンダクタンス増幅器のエミッタ電流は、電流ミラー回路80,81によって第2トランジスタ70,71のエミッタ電流から供給される。 (もっと読む)


【目的】 ランプの発光効率がかなり増加し、大変良好な演色は維持され、寿命中にランプがデグラデーションするスピードがかなり小さい低圧水銀放電ランプを提供する。
【構成】 演色が極めて優れ、完全放射体軌跡上あるいは近傍にカラーポイント(xL , yL ) を有し、水銀と希ガスとを含む、ガス漏れしない、放射線−透過エンベロープを具え、発光層を具える低圧水銀放電ランプであって、この発光層が2価のユーロビウムで活性化され、最大値が470 nmから500 nmの間で、半値幅が多くとも90nmのエミッションパンドを有する第1の発光材料と、2価のマンガンで活性化され、主に可視スペクトルの赤色領域に少なくともエミッションバンドを有する第2の発光材料とを含み、更に発光層が、最大値が430 nmから490 nmにあるバンドエミッションを有する第3の発光材料と、主に520 nmと565 nmとの間で発光する第4の発光材料と、主に590 nmと630 nmとの間で発光する第4の発光材料とを含む。 (もっと読む)


【目的】本発明は簡単な構成で、且つ反射体の形状及び寸法が与えられた場合に比較的大きな反射面を持つようにすることができる電球及び反射器のユニットを提供することにある。
【構成】電球及び反射器のユニットは中空首状部(5)を有するモールド反射体(1)を持つ。第1及び第2の対向している端部(14,15)が設けられているランプ容器(11)を持つ電球(10)は上記首状部内の第1の端部で固定されている。前記首状部(5)は前記反射体の反射面(3)に隣接する狭部(6)を持つ。この狭部から前記首状部の内部が該首状部により支えられている口金(20)の方に向かって円錐状に広くなっている。 (もっと読む)


【目的】 画像のデータに局部的におよび時間に対して良好に調整し得るようにしたクロマキー方法を提供するものである。
【構成】 背景画像信号を前景画像信号のキーカラー−特徴化キーカラー領域に挿入するに当たり、制御信号に依存し比例領域の画像信号間でフェーディング操作を行い、前景領域の比例区域に生じる中間カラーを新たな中間カラーに変換し、この新たな中間カラーが前景画像信号のカラーから背景信号のカラーへの変換を構成するクロマキー方法において、前景画像信号領域の個別のカラー位置に比例領域を最適に適合するために、前景画像信号L(t)の種々のカラー位置の領域に対する個別の比例区域を適宜固定して各領域のカラー位置とキーカラーのカラー位置との間の距離をこれらの縁部の基部及び頂部を用いてLxを各領域に対し個別に決め、制御信号Kを各領域に対して決まるカラー位置の距離に依存して各領域に対し発生し得るようにする。 (もっと読む)


【目的】 磁性部材の磁気的結合の面積の変化によって変位を検出する磁気位置検知装置の提供。
【構成】 相互に軸線8の回りに回転可能な第126、38及び第248、50の磁界誘導手段を有する。各々は透磁性部材からなり軸線に直角方向に延びるギャップ54、56を有する面によって、ギャップhを隔てて互いに対面している。これらの表面の形、位置及び面積は、両者の磁気結合によって必要な角度範囲で必要な出力波形が得られるように設計される。第3の磁界誘導手段40及び第4の磁界誘導手段52が設けられ、それぞれ第1及び第2の磁界誘導手段を磁気的に結合する。磁界生成手段44、46からの磁束が実質的に軸線に平行に第1及び第2の手段を通る。検知ギャップにホール素子14のようなセンサーが設けられ、その出力によって、第1及び第2の手段の相対的な角変位を検知する。 (もっと読む)


【目的】 非常に強い明るさ、安定性ある高い発光効率、安定した色点と長い寿命及び大きな光束を有する高圧水銀放電ランプを得る。
【構成】 石英ガラスのランプ容器(1)内に配された離間したタングステン電極(4)と、放電スペース内に少なくとも0.2 mgHg/mm3 、Cl、BrとIより選ばれた10-6〜10-4μmolHal/mm3 及び稀ガスの封入物を有する高圧水銀放電ランプにおいて、放電スペース(3)は楕円体の形で、放電路(5)の方向にS(mm)=e×Di の寸法を有し、この場合eは1.0 〜1.8 の範囲内にある値、Di は放電路(5)を横切る最大直径で、このDi は、fを0.9 〜1.1 の範囲内の値、Pを70〜150 Wの範囲内にある公称動作時の消費電力とした場合Di (mm)=f×[3.2 +0.011 (mm/W)×P(W)]でランプ容器(1)の凸状外面(7)はDO (mm)≧3.2 +0.055 (mm/W)×P(W)の直径を有し、放電路の長さDp は1.0 〜2.0 mmの範囲内で、選択されたハロゲンは臭素である。 (もっと読む)


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