説明

吉玉精鍍株式会社により出願された特許

1 - 1 / 1


【課題】無電解めっきによるフリップチップ接続で、レドックス系金属の還元剤の存在下で無電解めっきにより行うことを特徴とし、高密度実装が可能で、製造が容易であり、低コストで製造でき、接合部が均一かつ信頼性が高く、かつ低抵抗の製造可能な半導体チップの積層実装方法を提供すること。
【解決手段】配線基板1上に、外部引き出し電極に突起電極(バンプ)6を有する下部半導体チップ5を搭載し、この半導体チップ5の上に上部半導体チップ8を搭載する。配線基板1の配線層2と下部半導体チップ5の突起電極(バンプ)6との間、下部半導体チップ5の突起電極(バンプ)7と上部半導体チップ8の突起電極(バンプ)9の突起電極(バンプ)同士をレドックス系金属の還元剤を用いた無電解めっきにより電気的に接続させる。配線層2と突起電極(バンプ)6との間および半導体チップ5と8の突起電極(バンプ)同士はめっき膜10により同時に安定して接続される。 (もっと読む)


1 - 1 / 1